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Ni掺杂AlN铁磁性的第一性原理研究-华南师范大学学报
华南师范大学学报 (自然科学版)
2010年 8月 JOURNAL OF SOUTH CH INA NORMAL UN VI ERSITY 2010年第 3期
Aug. 2010 (NATURAL SCIENCE EDIT ION ) No. 3, 2010
: 1000- 5463( 2010) 03- 0058- 04
N i A lN
*
曾 坤, 郭志友 , 王雨田, 赵华雄, 林 竹
( , 510631)
: 采用密度泛函理论( DFT)的总体能量的平面波超软 势方法, 结合广义梯度近似( GGA ), 对N i掺杂 A lN32原
子超原胞体系分别进行了几何结构优化, 计算和分析了N i掺杂 AlN 的结构能带电子态密度集居数及体系总能.
结果表明, N i掺杂A lN会产生自旋极化, 能带结构显示 625% N i掺杂 A lN 呈现半金属性质, 有铁磁性, 铁磁性可以
用N i和相邻的N 之间的 p- d杂化机制来解释. N i掺杂的A lN 应该是一种有应用前景的稀磁半导体 DM S.
: N;i A lN; 第一性原理; 铁磁性
: 064 1; 064 : A
( PWP)N iA lN 32
[ 1]
, . D I ,
[ 2- 3]
ETL , N iA lN .
,
Zener, 1
Tc ,
ZnON , GaNA lN 1. 1
.
GaMnN 800~ 00 ,
K, A lN Cr 00 K[ 4- 7] . A lN RKKY ( Ruderman - K ttel- Kasuya
III, A lN - Y osida)DM Ss. RKKY
. :
, N i .
[ 8] [ 2- 3]
n N i . D IETL Zener,
, N i ZnO , P( Ga, Mn)A s( Zn, Mn) Te
N i 350 K ,
[ - 11] . N i A lN p DM Ss.
DM S. , DIETL
GaN ZnO.
, SATO KATAYAMA - YOSH IDA[ 8]
, .
. , Zener,
,
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