Ni掺杂AlN铁磁性的第一性原理研究-华南师范大学学报.PDF

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Ni掺杂AlN铁磁性的第一性原理研究-华南师范大学学报

华南师范大学学报 (自然科学版) 2010年 8月 JOURNAL OF SOUTH CH INA NORMAL UN VI ERSITY 2010年第 3期 Aug. 2010 (NATURAL SCIENCE EDIT ION ) No. 3, 2010 : 1000- 5463( 2010) 03- 0058- 04 N i A lN * 曾 坤, 郭志友 , 王雨田, 赵华雄, 林 竹 ( , 510631) : 采用密度泛函理论( DFT)的总体能量的平面波超软 势方法, 结合广义梯度近似( GGA ), 对N i掺杂 A lN32原 子超原胞体系分别进行了几何结构优化, 计算和分析了N i掺杂 AlN 的结构能带电子态密度集居数及体系总能. 结果表明, N i掺杂A lN会产生自旋极化, 能带结构显示 625% N i掺杂 A lN 呈现半金属性质, 有铁磁性, 铁磁性可以 用N i和相邻的N 之间的 p- d杂化机制来解释. N i掺杂的A lN 应该是一种有应用前景的稀磁半导体 DM S. : N;i A lN; 第一性原理; 铁磁性 : 064 1; 064 : A ( PWP)N iA lN 32 [ 1] , . D I , [ 2- 3] ETL , N iA lN . , Zener, 1 Tc , ZnON , GaNA lN 1. 1 . GaMnN 800~ 00 , K, A lN Cr 00 K[ 4- 7] . A lN RKKY ( Ruderman - K ttel- Kasuya III, A lN - Y osida)DM Ss. RKKY . : , N i . [ 8] [ 2- 3] n N i . D IETL Zener, , N i ZnO , P( Ga, Mn)A s( Zn, Mn) Te N i 350 K , [ - 11] . N i A lN p DM Ss. DM S. , DIETL GaN ZnO. , SATO KATAYAMA - YOSH IDA[ 8] , . . , Zener, ,

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