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HEST 3300A 级可控硅功率整流柜阻容保护参数计算书 3300A级可控硅功率整流柜阻容保护参数计算书 编制部门：研发部 编制人员：周尚军 编制时间：2008-10-06 版本编号：Version 1.1 一、可控硅功率整流柜装设阻容保护吸收装置的原因和目的 可控硅元件对过电压极其敏感，当外加正向电压超过其断态重复峰值电压一 定值时就会出现误导通，而外加反向电压超过其反向重复峰值电压一定值时会导 致可控硅的击穿损坏。 换相过电压的起因是：可控硅在换相时刻，原先导通的可控硅电流下降到零 之后，内部载流子由于复合而形成反向电流，该反向电流（又称复合电流）达到 最大值后恢复到零，可控硅处于阻断状态。由于反向恢复电流由最大值降到零的 时间极短，di/dt 较大，在回路电感L 上产生L*di/dt 的电压与工频交流阳极电压 叠加在一起加在可控硅上，从而引起换相过电压以及较大的电压变化率dv/dt 。 可控硅功率整流柜装设阻容保护吸收装置的目的主要是：1、抑制换相过电 压，2 、抑制电压变化率dv/dt，3、限制可控硅开通时的瞬态电流，4 、限制可控 硅开通时的瞬态电流变化率di/dt 。 二、功率柜装设阻容保护吸收装置的系统原理图 功率柜阻容保护的配置方案：每个功率柜每支可控硅两端并联一组串联型 RC 阻容保护装置保护可控硅，励磁变压器二次侧暨功率柜交流进线侧集中装设 一套三角形联结的RC 阻容保护装置保护所有功率柜及励磁变压器副边绕组，三 角形阻容保护装置与三相交流线路之间采用3 支高压快速熔断器连接。系统原理 图如图1 所示，发电机定子、PT 、CT、同步变压器、快速熔断器、触发脉冲变 压器、磁场断路器、灭磁电阻、跨接器等部件在图中省略。 武汉洪山电工科技有限公司 1 HEST 3300A 级可控硅功率整流柜阻容保护参数计算书 图1 功率柜阻容保护原理图 三、元器件参数选型与计算分析 1、每个功率柜每支可控硅两端的阻容保护装置 （1）电容的参数选取 功率柜单柜最大连续输出 Idmax=3300A 时，每支可控硅正向通态平均电流 ITAV=0.367*Idmax=1211.1A 。对于巨型机组功率柜阳极电压Un 取1000V 左右。 由可控硅两端阻容保护的工程经验选型计算公式计算阻容保护参数并留有 一定余量，对于每支可控硅两端的阻容保护，电容容量选取经验计算公式 -3 C=(1~2)ITAV*10 uF=1.2~2.4uF ，实际选取电容量C=2~3uF 。无阻容吸收时可控硅 阳极过电压尖峰最高可达工频幅值的1.5 倍左右，即Upeak=1.5* 2 Un=2121V ， 故电容耐受电压选取AC2100V 以上。 （2 ）变压器漏感Ls 及可控硅关断过程中di/dt 的计算 对于600/700/1000MW 巨型水电和火电机组，采用的励磁变压器多为三台单 相变压器按照 Y/d-11 组别联结而成的变压器组，单台变压器额定容量 Sn=1500~3000KVA，短路阻抗电压比Uk=6%~8% ，变压器二次侧短路电抗即漏 抗 Xs=Uk*Un2/Sn=0.0267~0.04 Ω，漏感Ls=Xs/ ω=Xs/2 πf=85uH~127uH，可控 硅关断过程中，di/dt=- 2 Un/Ls=-2 2 πf Sn/(Un*Uk)=-16.66A/us~-11.11A/us 。 武汉洪山电工科技有限公司 2 HEST 3300A 级可控硅功率整流柜阻容保护参数计算书 （3 ）漏感中储存磁场能量及功率的计算 查询 ABB 5STP38N4200 可控硅关断过程的 Qrr/(di/dt)及 Irm/(di/dt) 曲线可 知，可控硅在 di/dt=(-16.66~-11.11)A/us 的关断电流变化率时，恢复电荷 Q