5第5章节-存储器.ppt

5-1 存储器分类 按用途分类 1、内部存储器 2、外部存储器 按存储器性质分类 1、RAM随机存储器 1）SRAM 2）DRAM 2、ROM只读存储器 1）掩膜只读ROM 2）PROM 3）EPROM 4）EEPROM 按存储器性质分类 5-2 随机存储器(RAM) 静态随机存储器 动态随机存储器 内部结构 典型芯片 六管静态RAM基本存储电路 构成：存储矩阵、地址译码、控制 典型芯片：2114、6116、6264、62256 单管动态RAM基本存储电路 结构 原理：刷新 例：2164 内部结构 5-3 只读存储器(ROM) 掩膜型ROM 可编程PROM 可编程可擦除EPROM 电可擦除可编程EEPROM 5-4 CPU与存储器的连接 CPU总线的负载能力 CPU的时序和存储器速度的匹配 存储器的地址选择 控制信号的连接 数据线的连接 全译码选择方式 部分译码选择方式 线性选择方式 第5章结束 作业：第206~207页： 5.1； 5.8； 5.9； 5.15 （3）画出该存储器的电路连线图： WR RD D7-D0 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 . . . A0 CPU (MEMW) (MEMR) A G1 C B 74LS138 Y1 ： ： Y0 Y6 Y7 G2B G2A CS D7-D0 0# A -A0 OE WE 12 CS D7-D0 1# A -A0 OE WE 12 ?1 例2：2732EPROM芯片的译码简图电路如下图所示，请分析该芯片的地址范围及存储容量。 A G1 C B 74LS138 Y1 A11 A12 A13 A14 CS A15 A19 ： ： ： ： Y0 Y6 Y7 2732 G2B G2A A G1 C B 74LS138 Y1 A11 A12 A13 A14 CS A15 A19 ： ： ： ： Y0 Y6 Y7 2732 G2B G2A 解答:（1）由已知电路图可以确定: 地址线A19~A11为该存储电路的片间地址线；其中：A19~A14为74LS138译码器的使能控制线， 而A13~A11为2732EPROM的片选信号线。 另外，2732的片内地址线为片间未用到的地址线：A10~A0 （2）由已知条件确定片内、片外地址线： 片内地址 A10 ~ A0 地址范围（H） 1 1 0 FF000 H ~ FF7FF H 0 0 1 1 …… …… 0 0 1 1 …… …… 片间地址 A19 ~ A14 A13 A12 A11 1 ~ 1 1 ~ 1 1 1 1 FF800 H ~ FFFFF H 因此总的地址范围为：FF000 H ~ FFFFF H 该存储器的存储容量为：4 K（字节） 例3：已知SRAM芯片及其引脚如下图所示，试利用该芯片构成地址为70000H~8FFFFH的8086存储器系统，试画出该系统的连接图。 SRAM CS D7-D0 A0 A14 OE WE ︰ ︰ 解答: （1）由已知条件确定所需SRAM芯片数量: 存储器容量＝字节末地址－字节首地址＋1 因此该存储系统的容量为：（字节数） 8FFFFH - 70000H + 1 = 20000H = 217个字节 = 128K×8位 又因单片SRAM的容量为：215 B = 32K×8位 ∴ 所需的芯片数量为：n = 128K/32K = 4片 注意： 8086存储器系统分为奇存储体和偶存储体。因此，在此题中需用A0线和BHE线来分别选择奇、偶存储体。 （2）由已知条件确定片内、片外地址线： 片内地址 A15 ~ A1 片间地址 A19 A18 A17 A16 0# SRAM芯片 1# 2# 3# 0 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 …… …… 0 0 1 1 …… …… 0 0 1 1 …… …… 0 0 1