半导体物理学 第三章节 半导体中载流子统计分布.pptVIP

本章重点 计算一定温度下本征和杂质半导体中热平衡载流子浓度； 探讨半导体中载流子浓度随温度变化的规律。 计算载流子浓度须掌握以下两方面的知识 允许的量子态按能量如何分布 电子在允许的量子态中如何分布 热平衡态 一定的温度下，两种相反的过程（产生和复合）建立起动态平衡 状态密度 计算步骤 计算单位k空间中的量子态数； 计算dE能量范围所对应的k空间体积内的量子态数目； 计算dE能量范围内的量子态数； 求得状态密度。 3.1.1 k空间中量子态的分布 对于边长为L的立方晶体 kx = 2πnx/L (nx = 0, ±1, ±2, …) ky = 2π ny/L (ny = 0, ±1, ±2, …) kz = 2π nz/L (nz = 0, ±1, ±2, …) k空间状态分布 二、旋转椭球等能面情况 2、费米能级EF的意义 二、波尔兹曼（Boltzmann）分布函数 费米和玻耳兹曼分布函数 三、空穴的分布函数 四、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 导带中的电子浓度 §3.4 杂质半导体的载流子浓度 二、n型半导体的载流子浓度 §3.5 一般情况下（即杂质补偿情况）的载流子统计分布（自学） 1、简并化条件： (1)Ec-EF2k0T 非简并 服从波尔兹曼分布 (2)0 Ec-EF2k0T 弱简并 (3) Ec-EF≤0 简 并 服从费米分布 2、低温载流子冻析现象 3、禁带变窄效应,负阻效应的隧道二极管就是利用重掺杂的半导体做的pn结 假设只含一种n型杂质。在热平衡条件下，半导体是电中性的：n0=p0+nD+ （7） 当温度从高到低变化时，对不同温度还可将此式进一步简化 n型Si中电子浓度n与温度T的关系： 杂质离化区 过渡区 本征激发区 1、杂质离化区 特征：本征激发可以忽略， p0≌0 导带电子主要由电离杂质提供。 电中性条件 n0=p0+nD+ 可近似为 n0=nD+ （9） （1）低温弱电离区： 特征： nD+ 《ND 弱电离 费米能在何处？？ no与温度的关系 (2)中间弱电离区：本征激发仍略去，随着温度T的增加，nD+已足够大，故直接求解方程(8) （3）强电离区： 特征：杂质基本全电离 nD+≌ND电中性条件简化为 n0=ND 饱和区？？ 这时 注：强电离与弱电离的区分： 决定杂质全电离（nD+≧90%ND）的因素： 1、杂质电离能； 2、杂质浓度。 在室温时，nD+≌ND 当杂质浓度≧10ni时，才保持以杂质电离为主 。 施主杂质全部电离的杂志浓度上限 2、过渡区： 特征：（1）杂质全电离 nD+=ND  （2）本征激发不能忽略 电中性条件： n0=ND+p0 利用 计算载流子浓度 讨论： 显然：n0》p0，这时的过渡区接近于强电离区。 多数载流子（多子） n0 少数载流子（少子） p0 3、高温本征激发区 N型半导体在饱和区时 §3.6 简并（重掺杂）半导体 当 费米能及进入导带，说明掺杂很高，导带底附近基本被电子占据，同理可以知道p型半导体重掺杂的情况。 重掺杂情况下，载流子服从费米分布，称为简并半导体。 EF的位置比较直观地反映了电子占据电子态的情况。即标志了电子填充能级的水平。 EF越高，说明有较多的能量较高的电子态上有电子占据。 不同温度下的费米分布函数 随着温度的升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的概率下降，而占据能量大于费米能级的量子态的概率增大。 当E-EF》k0T时, 此时分布函数的形式同经典的波尔兹曼分布是一致的.对于能级比EF高很多的量子态,被电子占据的几率非常小,因此泡利不相容原理的限制显得就不重要了. 当 E-EFk0T时, 空穴的费米分布函数和波尔兹曼分布函数 当 EF-Ek0T时, 上式给出的是能级比EF低很多的量子态,被空穴占据的几率. 在电子能级图中,电子从低能级跳到高能级,相当于空穴从高能级跳到低能级,所以在越高的电子能级上空穴的能量越低.空穴占据高的电子能级，也就是空穴在能量低的能级的几率大，因而，和Boltzman分布完全一致。 波尔兹曼分布函数 常遇到的半导体的费米能级EF位于禁带中，并且离价带和导带的距离远大于k0T 在导带中，E-EFk0T，则导带中的电子服从波尔兹曼分布，且随着E的增大，概率迅速减少，所以导带中