半导体物理第四章节(教材ppt).ppt

§4.5 波尔兹曼方程  电导率的统计理论 重点：分布函数f满足的方程 * fB：热平衡状态下的分布函数 * f=f（k，r，t）：非平衡态的分布函数 影响分布函数的因素： （1）外场——漂移 （2）散射机构——散射 1、Boltzmann方程 * * 因此，得到非平衡态下Boltzmann方程的一般形式： * 讨论： * * 2、驰豫时间近似 稳定状态时，如果分布函数f与平衡时的f0偏离不大， 则由（4）所作的近似描述的由非平衡态向平衡态恢复的过程就称为驰豫时间近似。完成驰豫过程所需要的时间就叫驰豫时间 * 3、弱场近似下迁移率的统计表达式 * * * §4.6 强电场下的效应 热载流子（自学） 速度随电场线形变化的关系只在弱场下成立。其成立条件是：受电场加速的载流子仍然能与晶格处于热平衡。 高场下，载流子从电场中获得能量的同时即可通过发射光、声子损失掉，载流子无法实现进一步的加速，出现速度饱和。 对于小尺寸半导体器件，速度饱和效应已经成为一个非常重要的物理限制。 线形变化区 饱和区 * 强场下的热载流子效应 热载流子：能量高于热能kT的载流子。 热载流子效应：由于器件中的热载流子的能量很高，很可能导致： （1）载流子越过介质势垒进入到介质层 中，影响器件性能。 （2）发生碰撞电离（雪崩倍增），引起载 流子数量的增加。 产生热载流子的必要条件：强电场 * 本章小结 迁移率——载流子在单位电场下的漂移速率。 散射——影响迁移率的本质因素。 漂移电流 电导率 * * * 在外电场作用下，实际上，载流子的运动是： 热运动+漂移运动 电流 I 散射几率 P 散射几率：单位时间内一个载流子被散射的次数 * 2、半导体的主要散射机构 电离杂质散射 晶格振动散射 等同能谷间的散射 中性杂质散射 位错散射 载流子与载流子间的散射 * 1）电离杂质散射 （即库仑散射） 散射几率Pi∝NiT-3/2 Ni：为杂质浓度总和。 * 2）晶格振动散射 有N个原胞的晶体 有N个格波波矢q 一个q=3支光学波(高频)+3支声学波(低频) 振动方式: 3个光学波=1个纵波+2个横波 3个声学波=1个纵波+2个横波 格波的能量效应以hνa为单元 声子 * 晶格振动散射特点：各向同性。 a、声学波散射： Ps∝T3/2 举例：Ge、Si b、光学波散射： P o∝[exp（hv/k0T）]-1 举例：GaAs * 3)其它散射机构 （1）等同能谷间散射——高温下显著 谷间散射：电子在等同能故中从一个极值附近散 射到另一个极值附近的散射。 分类：A、弹性散射 B、非弹性散射 * （2）中性杂质散射——在低温下重掺杂半导 体中发生. （3）位错散射——位错密度104cm-2时发 生具有各向异性的特点. （4）载流子与载流子间的散射 ——在强简并下发生 * §4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 * * * 电子在电场的作用下（沿电场反方向）定向运动，这种运动就叫漂移运动。 Ec Ev EF E 散射 * 迁移率与有效质量的关系：对等能面为旋转椭球面的多极值半导体，沿晶的不同方向有效质量不同，故 * 为电导迁移率，迁移率与有效质量的关系应表征为 mc为电导有效质量： 结论：对多能谷半导体，迁移率中的 有效质量应采用电导有效质量 * 对于电子和空穴，如设两者 平均自由时间相同， * * * Si在300K下的电子迁移率和空穴迁移率 电子的迁移率大于空穴的迁移率，是因为电子的有效质量小于空穴的有效质量。 因此，提高载流子的迁移率的主要方法有： （1）减小有效质量（改变能带结构）