工程电磁场第二章节003.ppt

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工程电磁场第二章节003

导体和电介质都是电场中的媒质,媒质对电场的影响可归结为媒质中的电荷对电场的影响。 电介质(绝缘体)中的电荷不能自由移动。这些电荷被束缚在分子或原子范围内,只能做微小的移动,因此称为束缚电荷。 有极分子:如NaCl、CO、H2O等; 研究静电场中的电介质应从以下两方面入手: 关于媒质特性的另一种说明 电场强度E的衔接条件另一种表示 图2.2.10 源点与场点的坐标的矢量表示 ? 轴对称分布:包括无限长均匀带电的直线,圆柱面,圆柱壳等。 图2.6.21.x 轴对称场的高斯面 ? 球对称分布:包括均匀带电的球面,球体和多层同心球壳等。 试问: 能否选取正方形的高斯面求解球对称场 (a) (b) (c) 图2.6.20.x 球对称场的高斯面 ? 无限大平面电荷:包括无限大的均匀带电平面,平板等。 (a) (b) (c) 图3. 平行平面场的高斯面 试问: 能否选取底面为方型的封闭柱面为高斯面? 返回高斯面说明 返回唯一性定理 + + + + + + + + - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 泊松方程 拉普拉斯方程 ——拉普拉斯算子 泊、拉方程是电位的基本方程。 ?分界面条件 一般形式: 分界面上没有自由面电荷: 导体(设为1侧)与理想介质分界面: 2. 静电场问题的分类 ?已知场源分布求场量 例如在体电荷分布情况下电场强度和电位的表示式分别为 对具有对称性的场可用高斯定理求场量 ? 已知场量求分布场源 实际上,静电场的问题并非都如此简单。还有许多更为复杂的问题,其中的某些问题,我们将其归结为边值问题。 3.静电场的边值问题 图2.8.2 边值问题框图 P56! 自然 边界条件 参考点电位 有限值 边值问题 微分方程 边界条件 场域 边界条件 分界面 (衔接)条件 第一类 边界条件 第二类 边界条件 第三类 边界条件 已知场域边界 上各点电位值 已知场域边界 上各点电位 的法向导数 一、二类边界条件的线性组合,即 给定一部分边界上的电位和另一部分边界上电位的法向导数 混合边值问题 为什么说第二类边界条件 与导体上给定电荷分布或边界是电力线的条件是等价的? ?静电场中静电平衡时,导体的电荷只能分布在导体表面,设面电荷密度为σ, 导体 思考题? ?若边界是一根电力线,则因电力线上每一点的切线方向就是该点场强的方向,所以该点场强的法向分量为零。 4.唯一性定理 证明: (反证法) 2) 唯一性定理的重要意义 唯一性定理保证:我们求解的静电场问题的解,在什么样的条件下,它是确定的而且是唯一的。在处理实际问题时,如何正确提供条件才能有解。 强调唯一性定理,并非仅仅为了论证理论的严密性,更重要的是使我们在处理静电场问题时,能开拓思路,寻求更简捷的求解方法。后面的镜相法(电轴法),都是根据唯一性定理得出的简捷有效的(间接求解泊松和拉普拉斯方程)求解方法。 ? 唯一性定理为静电场问题的多种解法(试探解、数值解、解析解等)提供了思路及理论根据。不同的求解方法,其解的形式可能不一样,唯一性定理保证它们彼此相等且均为有效。 第二章静电场的基本原理结束 请看几道第二章静电场的例题 例2.8.1 图示平板电容器的电位,哪一个解答正确? 答案(C ) 图2.6.1平板电容器外加电源U0 =0 =0 =0 代入边界条件得: 解(方程)得: 解:采用球坐标系,分区域建立方程 图2.6.2体电荷球形域电场 例2.8.2 设有电荷均匀分布在半径为a的介质球型区域中,电荷体密度为 ,试用解微分方程的方法求球体内、外的电位及电场。 P22(1-7-14) 分界面条件 对上面的方程取两次积分,得通解 参考点电位 边界条件 解得 电位为 电场强度(球坐标梯度公式) P26(1-7-11) 图1.4.3 随r变化曲线 对于一维场(场量仅仅是一个坐标变量的函数),只要对二阶常系数微分方程积分两次,得到通解;然后利用边界条件求得积分常数,得到电位的解;再由 得 到电场强度E的分布。 4.电介质分界面场图 分界面上有自由面电荷是一种特殊情况! 若分界面上没有自由面电荷,则静电场不同电介质分界面条件为: (1)电场强度切线方向连续。 (2)电位移矢量法线方向连续。 P52~ P53! 几个特殊场图的定量分析! 图2-7-3 电介质及其附近的电场强度和等位面(线) 在真空(相对介电常数为1)中的均匀电场中,放置一块方形的电介质(相对介电常数为6)。图2-7-3画出了由等电位线和电场强度矢量构成的场图。图2-7-4画出了由等电位线

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