光电子技术第8课.ppt

光电技术 光电子技术第八课 王炜路 TelQQEmail：wlwang@ecit.cn * * 分数规则 平时分最高线：男（28）女（25） 积分方法： （1）课堂测试 （2）给老师提出宝贵意见1~2/次 （3）作业1/次，不交扣3/次 （4）旷课20/次，迟到10/次 （5）10分钟时间向大家介绍自己的特长， （每人一次机会） 主动提交的3~10分 点名提交的1~5分 由平时分最高的6位同学打分， 去掉最高分，最低分，算平均 上节复习 0.77 0.44 0.11 0.02 电光调制的物理基础是电光效应 电光晶体 材料施加 电场 束缚电荷 重新分布 离子晶格 微小形变 介电系数 的变化 晶体折射 率变化 E（r）=C，E（t） E（t）=C，E（r） 1. 纵向电光调制（通光方向与电场方向一致） 电光晶体(KDP)置于两个成正交的偏振器之间，其中起偏器P1的偏振方向平行于电光晶体的x轴，检偏器P2的偏振方向平行于y轴，当沿晶体z轴方向加电场后，它们将旋转45o变为感应主轴x’,y’。两个振幅和相位都相等．分别为： 入射光 P1 Ii x y z x? y? P2 Io 调制光 ~V L 起偏器 ?/4波片 检偏器 纵向电光强度调制 4.2 电光调制 当光通过长度为L的晶体后，由于电光效应，E x’和E y’二分量间就产生了一个相位差 ，则 (4.4.7) 由于光强正比于电场的平方，因此，入射光强度为 y Y’ x X’ 45o 45o 后一步考虑了(3.3.30)式和(4.4.4)式的关系。 (4.4.6) 与之相应的输出光强为： (4.4.8) 将出射光强与入射光强相比[(4.4.6)公式/ (4.4.7)公式]得： 注意公式： (4.4.8)式中的T称为调制器的透过率。根据上述关系可以画出光强调制特性曲线。在一般情况下，调制器的输出特性与外加电压的关系是非线性的。 Vπ和Vλ/2 是一回事。 若调制器工作在非线性部分,则调制光将发生畸变。为了获得线性调制，可以通过引入一个固定的 /2相位延迟，使调制器的电压偏置在T＝50％的工作点上。常用的办法有两种： 电调制特性曲线 50 100 透过率(%) 0 透射光强 时间 电压 调制电压 V? V?/2 △?m = ?Vm/V? （相当于4.4.8式中的 △? ）是相应于外加调制信号vm的相位延迟。其中Vm sinωmt 是外加调制信号电压。 其一，除了施加信号电压之外，再附加一个 Vλ/4 的固定偏压，但会增加电路的复杂性，且工作点的稳定性也差。 其二，在光路上插入一个1／4波片(4.4.1图)其快慢轴与晶体主轴x成45o 角，使E x’和E y’二分量间产生 ?/2 的固定相位差。(4.4.6)式中的总相位差 入射光 P1 Ii x y z x? y? P2 Io 调制光 ~V L 起偏器 ?/4波片 检偏器 纵向电光强度调制 因此，调制的透过率可表示为 利用贝塞尔函数恒等式将上式 （4.4.10) （4.4.11) 由此可见，输出的调制光中含有高次诣波分量，使调制光发生畸变。为了获得线性调制，必须将高次 展开，得 若取 ＝1rad， 则J1 (1)=0.44, J3(1)=0.02, 所以I3 /I 1 =0.045，即三次谐波为基波的4.5%。在这个范围内可以获得近似线性调制，因而取 谐波控制在允许的范围内。设基频波和高次谐波的幅值分别为I1和I2n+1, 则高次谐波与基频波成分的比值为 (4.4.12) 作为线性调制的判据。 此时 代入（4.4.11)式得 (4.4.13) (4.4.14) 为了获得线性调制，要求调制信号不宜过大(小信号调制)，那么输出的光强调制波就是调制信号V=Vm sinωmt 的线性复现。如果△?m 1r