模电=第2讲 半导体基础知识.pptVIP

第二讲 半导体基础知识 一、本征半导体 1、本征半导体的结构 2、本征半导体中的两种载流子及载流子浓度 了解以下名词： 共用电子与共价键 自由电子与空穴 本征激发与复合 热运动与动态平衡 载流子 结论：本征半导体在不同的温度下，自由电子和空穴的浓度不同，所以导电性能也不同，当绝对温度等于0度时，为绝缘体。就本征半导体和自然界半导体相比，本征半导体的导电性要弱。 二、杂质半导体：本征半导体中掺入少量合适的杂质元素 2. P型半导体 结论： 1、N型半导体自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子；主要靠自由电子导电，掺入P元素越多，导电性越强。 2、 P型半导体自由电子为少数载流子，空穴为多数载流子；主要靠空穴导电，掺入B元素越多，导电性越强。 三、PN结的形成及其单向导电性 PN结的形成 PN结的单向导电性 PN结的电流方程和伏安特性 a、正向特性 b、反向特性 （当反向电压超过反向击穿电压时，反向电流急剧增加，称为反向击穿） 1）齐纳击穿：掺杂浓度高，需较低的反向电压，直接破坏共价键 2）雪崩击穿：掺杂浓度低，需较高的反向电压，少子碰撞共价键 PN结的电容效应 * * 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 无杂质 稳定的结构 本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体。 1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴。 半导体在热激发下产生自由电子-空穴对的现象称为本征激发。 共价键 自由电子与空穴相遇时会主动填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。 载流子 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反分别形成电子电流和空穴电流。本征半导体中的电流为电子电流和空穴电流之和。并且载流子数目很少，故导电性很差。 运载电荷的粒子称为载流子。 一定温度下，自由电子—空穴对的浓度一定（本征激发与复合运动达到动态平衡）；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子—空穴对的浓度增大。 导体和半导体中的载流子是否相同？为什么？影响本征半导体中载流子浓度的主要因素是什么？ 磷（P） 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现人为的导电性可控。 多数载流子 空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？ 1. N型半导体 硼（B） 多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强， 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子数目的变化相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？ 杂质半导体中，影响载流子浓度的主要因素是什么？影响多子浓度的因素和影响少子浓度的主要因素是否相同？为什么？ 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。 扩散运动 N区自由电子浓度远高于P区。 当P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上时，交界面处会产生扩散运动和复合运动，出现不可移动的正负离子区，从而产生内电场，阻止扩散运动的继续进行。（内电场方向？） P区空穴浓度远高于N区。 因内电场作用所产生的运动称为漂移运动。 当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡时，交界面处就形成了PN结。 漂移运动 由于扩散运动使P区与N区的交界面处多数载流子浓度下降，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。 PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电场的作用，形成正向电流，PN结处于导通状态。 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。 1、电流方程： 2、伏安特性： 清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 1. 势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。 2. 扩散电容 PN结外加的正向电压