底钉扎与顶钉扎结构在磁传感器中应用研究.PDFVIP

第36卷第4期 压 电 与 声 光 Vo1．36No．4 2014年O8月 PIEZOELECTRICS＆ ACOUSTOOPTICS Aug．2014 文章编号 ：1004—2474(2014)04—0671一O4 底钉扎与顶钉扎结构在磁传感器 中应用研究 杜伟伟，唐 晓莉，苏 桦，张怀武 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件 国家重点实验室 ，四川 成都 610054) 摘 要：该文采用高真空磁控溅射技术分别制备了无缓冲层的NiFe／IrMn和 IrMn／NiFe及有缓冲层的IrMn／ NiFe3种结构薄膜 ，并用振动样 品磁强计对样品磁性能进行测试 。结果表明，直接在 Si上淀积 NiFe／IrMn和在适 当厚度 的Ta／NiFe或 Cu层作为缓冲层上淀积 IrMn／NiFe的2种结构，有很大的交换偏置场 。这样大的交换偏置 场适合应用于顶钉扎和底钉扎结构的 自旋 阀巨磁 电阻器件 。 关键词 ：交换偏置场 ；巨磁阻；振动样 品磁强计 ；磁滞 回线 ；传感器 中图分类号 ：0484．4+3 文献标识码 ：A ResearchonApplicationofBottom PinnedandTopPinnedStructuresin M agneticSensor DU Weiwei，TANG Xiaoli，SU Hua，ZHANG Huaiwu (StateKeyLab．ofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina， Chengdu610054，China) Abstract：Threekindsofstructureswerepreparedbyhighvacuum magnetronsputteringtechnology：NiFe／IrMn filmsandIrMn／NiFefirmswithoutbufferlayer：andIrMn／NiiFefilmswithbufferlayerrespectively．Themagnetic propertiesweretestedwithavibratingsamplemagnetometer．Resultshowedthatlargeexchangebiasexistedbothin NiFe／IrMnwhichwasdepositeddirectlyonSi，andalsoinIrMn／NiFebio—layerstructurewhichweredepositedon properthicknessofTa／NiFeLayerorCulayer．Suchlargeexchangebiaswasthemostsuitablefortopandbottom pinnedspinvalvegiantmagneto—resistancedevice． Keywords：exchangebias；giantmagneto—resistance；vibratingsamplemagnetometer；magnetichysteresisloop； SenS0 r 0 引言 (AFM)层构成 。其中，铁磁被钉扎层和反铁磁双层 自从 1988年法 国A．Fert教授领导 的研究小组 膜型之间形成交换偏置 ，这种耦合作用使铁磁层的 在 由Fe，Cr构成 的金属超 晶格 系上发现 巨磁 阻 磁滞 回线将沿磁场方 向偏离原点，同时伴 随着矫顽 (GMR)效应[1]以来 ，巨磁 阻效应不仅在传感器，硬 力的增加 [6]。FM ／