常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质-发光学报.PDFVIP

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常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质-发光学报

25 4 Vol . 25, No. 4 2004 8 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Aug . , 2004 : 1000-7032 2004) 04- 0393-03 常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质王立, 莫春兰, 熊传兵, 蒲勇, 陈玉凤, 彭绍琴, 江风益 , 330047) : MOCVD 0001) ZnO) AFM PL Hall X / AFM , , , RMS) 6 . 257 nm, 1. 895 m PL 380 nm , 15 nm Hall 17 - 3 2 - 1 - 1 2 10 cm , 75 cm V s X / , 0. 04, 3 . 1 % m in : ; ; ; ; X ; / : O472. 3 : A 0001) , DEZn Zn , H O O , N 1 引言 2 2 , , GaN ZnO , 20 min, GaN , 700 , DEZn , ZnO: 3. 37 eV, GaN: 3. 39 eV) 1. 89 10- 7 kg/ s, H O 1. 08 10- 5 2 ZnO: a= 3. 250, c= 5 . 205; GaN: a= kg/ s1 h , 3 m 3. 189, c= 5. 182) ZnO ZnO : 60 meV, GaN: 27 meV) 3 结果和讨论 ZnO GaN ZnO , , , : Rf-MS) [ 1, 2] , PLD) [ 3] , , EBV) [ 4] , MBE) [ 5, 6] , GaN , 1 MOCVD) [ 7] MOCVD 1) AFM , , , , , RMS MOCVD GaN 6. 257 nm 2 1) , ZnO , 1. 895 m 2 实验 Hall ,