自旋电子学和自旋流-HKU.PDF

评述 自旋电子学和自旋流 沈顺清4 （香港大学物理系- 香港） 摘- 要- - 传统的电子学完全忽略了电子自旋，这使人们在探索未来半导体工业发展时有了新的契机和可能的研究 方向 自旋电子学旨在利用电子自旋而非传统的电子电荷为基础，探讨研发新一代电子产品的可能性 文章简单介绍 了自旋电子学的动机、物理基础以及研究内容，并重点介绍了在自旋电子学器件中起关键作用的自旋流 文章从自旋 流的定义、它能产生的物理性质和最近有关自旋流探测的理论和实验进展等三个方面进行阐述 关键词- - 自旋电子学，自旋流，量子自旋 !#$%’$#() *$+ !#$ ,-.$% 5678 5!’,9:),;4 （!# $%’( )* +,-./0. ，1, 2(/3%./- )* 4)(5 6)(5 ，+)7* 89$’ :)$; ，4)(5 6)(5 ，,/($ ） /0)%*(%1 1 =,?,)=,*( ?(?+@=,)+A +=B#(??(C );,=@?A !? ?(?+@=, A#), ，%!)+! #@=)D?A ’A %)! *, ’,#@?+?9 D?,?D +!*,+? *,D ,?% A*@),; #=), = ?E#(=@? !? F’’@? =F !? B=D?@, A?B)+=,D’+=@ *,D ),F=@B*)=, ),D’A@C 5#),@=,)+A ，=@ A#),9G*A?D ?(?+@=,)+A ，*)BA = ?E#(=) !? A’G(? *,D B),D9G?,D),; ?A=?@)+ H’*,’B #@=#?@)?A =F !? ?(?+@=, = D??(=# * ,?% ;?,?@*)=, =F ?(?+@=,)+ D?)+?A I, !)A #*#?@ !? B=)*)=, ，F’,D*B?,*( #!CA)+A ， *,D A+=#? =F A#),@=,)+A %)(( G? G@)?F(C *DD@?AA?D J!? A#), +’@@?, ，=,? =F !? ?AA?,)*( +=,+?#A ), A#),@=,)+A ， %)(( G? D)A+’AA?D ), D?*)( ，),@=D’+),; )A D?F),))=, ，#!CA)+*( ?FF?+A ，*,D @?+?, !?=@?)+*( *,D ?E#?@)B?,*( #@=;@?AA 2.34’+)1 1 A#),@=,)+A ，A#), +’@@?, ，H’*,’B A#), 晶体管和电阻数目，在过去的三四十年间，由最初 3- 自旋电子学 的每30 个月到目前的每32 个月翻一番 这个指数 增长的所谓摩尔定理归纳了半导体和信息工业的发 21 年前，英国天才理论物理学家狄拉克将新 展速度，使原本体积庞大的计算机变成了人们日常 生的量子力学和爱因斯坦的相对论结合，建立了相 生活中不可缺少的用品和工具 这种迅速发展也使 对论量子力学，成功地解释了电子为什么会具有一 半导体晶片上的晶体管快速逼近纳米尺度 由于它 种特别的磁性或角动量，即自旋（电子自旋的基本 不可能小于单个原子，这已变成大规模集成电路发 性质见表3 ） 自此，人们清楚地认识到电子不仅带 展不可克服的物理极限 与此同时，有限尺度的物 有质量和基本电荷，还带有内禀自旋 在过去21 多 理器件引起的热耗散也是集成电路的一大障碍 在 年里，量子力学的建立和发展使我们对物质的构成