镀有sio2-wo3纳米复合薄膜lpfg气体传感特性研究 the research of gas sensitivity characteristic of lpfg doped by sio2-wo3 nano-composition thin film.pdfVIP

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2017-11-02 发布于上海
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镀有sio2-wo3纳米复合薄膜lpfg气体传感特性研究 the research of gas sensitivity characteristic of lpfg doped by sio2-wo3 nano-composition thin film.pdf

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镀有sio2-wo3纳米复合薄膜lpfg气体传感特性研究 the research of gas sensitivity characteristic of lpfg doped by sio2-wo3 nano-composition thin film

第20卷第7期传感技术学报 v01．20No．7 cH烈EsEJaURNAI一0FsEN90RSAND盯ruA，mRs 2007年7月 JUL．2007 TheResearchofGas CharacteristicofLPFG SensitiVity Dopedby ThinFilm‘ Si02-W毡Nan俨C吣position PENG Y-07291’2。，YUQi咒g-_z乱1 o，鼢埘cs ／1．Sc^Doz ＼2．DP声nr￡优P挖fo厂P^vsics，DnZinA妃一￡imeU；嚏iw拓v，D口￡缸”116026，Chi撇， Abstr舵t：TheSi02一W03 thinfilmwiththe was on sub— nano-composition gassensitiVityprepared91ass strate technical the andthe as bysol—gel processusingtungstenpowder tetraethoxys订anes structureandsurface ofthethinfilmwerecharacterized crystal topograph by)【-ray atomicforce resultsshow causesthereductionof microscopy(AFM)．Theexperimental that，dopingSi02 the sizeofthe thin ofthe film，the andthesurfacearea． crystallinegrain W03 increasingdutyporosity The thinfilmwas ontheLPFG．WhentheLPFGwas to Si02一W03nanorcompositionprepared deposited theNO ofvolumefraction2％undertheroom redshiftofLPFGresonanceis gas temperature，the peak 4．77 thetransmissionofLPFGresonanceisfrom一9．93dB dBandtherelative nm，while peak to一8．53 sensor achievesThe timeofthesensor sandthe timeis gas sensitivity3％． response is￡res一3．5 recovery