多孔硅残余应力的研究 study on residual in porous silicon.pdfVIP

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2017-11-02 发布于上海
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多孔硅残余应力的研究 study on residual in porous silicon.pdf

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多孔硅残余应力的研究 study on residual in porous silicon

2007年第26卷第6期传感器与微系统(1hnsducer明dMic瑚ystem‰hnologi鹤) 15 多孔硅残余应力的研究幸梁继然‘。胡明1，亢一澜2，雷振坤’，窦雁巍1 (1．天津大学电子信息工程学院，天津∞∞72；2天津大学机械学院。天津3帅盯2； 3．大连理工大学力学系，辽宁大连ll砷24) 摘要：利用电化学腐蚀的方法在p型单晶硅(100)衬底上制备了多孔硅薄膜。利用微拉曼光谱法分别测量了处于湿化一干燥一再湿化3个阶段的多孔硅薄膜的拉曼频移，对多孔硅内应变引起的频移改变量和纳米硅晶粒因声子限制效应引起的频移改变量进行分离，找到多孔硅薄膜残余应力与拉曼频移之问的关系式。利用这一关系式，对不同孔隙率的多孔硅薄膜的残余应力进行了计算，获得了和声子模型拟合方法相一致的结果。研究中发现，多孔硅表面残余应力随孔隙率的增加而线性增大，其原因为随着孔隙率的增加，多孔硅晶格常数增大，且干燥过程中残液的蒸发产生的毛细应力使多孔硅薄膜与基体硅间品格错配程度增大造成的。关键词：多孔硅；残余应力；微拉曼光谱中图分类号：TN402 文献标识码：A 文章编号：lOoo一9787(2007)06一ool5一03 ，、● ●1 ■ ● ■●● 幂 0nreSldUaIln SnlC0n StUnV por0US UANG Y曲．weil Ji．mnl．HUMin91。KANGYi．1蛐2，LEIZhen．ku矿，DOU of日ec|抛nlc 0f日∞h帅Ic (1．珧阳r岫蛐t Sckn∞蛐d蛐oIo舒。Sch∞1Info蛐m廿帆hIg宣眦硎呜。删缸U砌唰ty，删蛔铷帅72，a岫噙； ofM即mHIi∞l 2．D叩咖恤em荫M∞hml璐，sch∞I E啦；I玎槐曲喀，删inUmve商ty，删in3伽I町2，a吐眦； of‰olo留，Dalin1160M，(耻腿) 3．n哪_巾咖tof勘IgInee而喀M佻b岫i岱，功m蛐Uni嘲ty silicon level Ah岫In：P0∞us6l瑚a他0btained∞higIIlyd叩edp·t)rpe(100)8ilic伽w幽哺啦ing elecn∞hemical isu8edtoclIl哦lcteIize tlIethree etchingt∞h咖logy．Micm—R锄蚰8p∞tm眈opy po舢sili咖in totlIeRa舢msIIi缸嬲ar∞lIlt0fdilfe陀m diffe陀nt f如to玛，tlIe sta学眵：wening—drying蛐dmwetting，acc删ing 8hilIof fmm fmmtIle8hifttlI毗dueto8砌nin ph叫伽co西他r∞m胡＆t嗍ultedna肿cry8talli舶am蚓Pa|眦ed foundtocalcula把tIIe toR锄锄shift．Andtl】屺Btm鼹is p‘釉uB8ilic∞，apmp