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防雷技术基础2
②当有屏蔽时,即在格栅形大空间屏蔽内(此空间看作是LPZI区),磁场强度从H0减为H1,其值应按下式计算: H1=H0/10sf/20(A/m)式中SF—屏蔽系数(dB),按下表中公式计算。 附近雷击时的环境情况(Sa:雷击点至屏蔽空间的平均距离) 表 格栅形大空间屏蔽的屏蔽系数 注:1、适用于首次雷击的磁场; 2、适用于后续雷击的磁场; 3、相对磁导系数μr≈200; 4、W—格栅形屏蔽的网格宽度(m),r—格栅形屏蔽网格导体的半径 (m)。 5、当计算式得出的值为负数时取SF=0;若建筑物具有网格形等电位 连接网络,SF可增加6dB。 上表中的计算值仅对在各LPZ1区内距屏蔽层有一安全距离ds/1的安全空间Vs内才有效(见图),ds/1应按下列方法计算: 当SF≥10时,ds/1=w?SF/10 (m) 当SF<10时,ds/1=w (m) 式中 w — 格栅形屏蔽的网格宽(m); SF —按表中计算的屏蔽系数(dB)。 在LPZ1或LPZn放置信息设备的空间 ③ 在闪电直接击在位于LPZ0A区的格栅形大空间的屏蔽体上或与其连接的接闪器上的情况下,其内部LPZ1区内Vs空间内某点的磁场强度H1应按下式计算: ) (A/m) 式中 dr— 所考虑的点距LPZ1区屏蔽顶的最短距离(m); dw— 所考虑的点距LPZ1区屏蔽壁的最短距离(m); kH— 形状系数 ,取kH=0.01 ; w — LPZ1区格栅形屏蔽的网格宽(m); i0 — LPZ0区中的雷电电流(A)。 上式的计算值仅对距屏蔽格栅有一安全距离ds/2的空间Vs内有效,应符合下式的要求。 ds/2=w(m) 电子系统应仅安装在Vs空间内。 闪电直接击于屋顶接闪器时LPZ1区内的磁场强度 ④ 流过包围LPZ2区及以上区的格栅形屏蔽的分雷电流将不会有实质性的影响作用,处在LPZn区内LPZn+1区的磁场强度将由LPZn区内的磁场强度Hn减至LPZn+1区内的Hn+1,其值可近似地按下式计算。 Hn+1 = Hn/10SF/20 (A/m) 注:式中的SF为LPZn+1区屏蔽的屏蔽系数。 上式适用于LPZn+1区内距其屏蔽有一安全距离ds/1的空间Vs。ds/1应按ds/1=w?SF/10 (m)式计算。 LPZ2区内的磁场强度 3、屏蔽措施 (1)、建筑物的电磁屏蔽 现代高层建筑物多采用钢筋混凝土结构,其板、柱、梁和基础内有大量的钢筋、各钢件将连接起来,并与金属门窗框焊接,初步构成一个带门窗开口的屏蔽金属笼,(其中门窗开口处将是电磁脉冲进入室内的唯一途径)。如下图a,b图所示,在整体上构成一个法拉第笼式避雷网。形成笼式避雷网,这些避雷网除了具有其它的防雷用途外,还可以用于屏蔽目的。 图b 建筑物钢结构形成的笼式避雷网 图a 建筑物笼式避雷网 图 钢筋与金属门窗框的电气连接构成的大空间屏蔽 (2)设备屏蔽 屏蔽能抑制电磁波的干扰,建筑屏蔽室即为隔绝(或减弱)室内或室外电磁波干扰的房间。对脉冲电磁干扰敏感的电子设备,特别是那些含有大规模集成电路的微电子设备,都应采用连续完整的金属将它们封闭起来。进出设备的信号线和电源线屏蔽层在其进出口处应与设备的金属外壳保持良好的电气接触,如下图所示。 实际上,电子设备的金属外壳难以做到在电气上完全连续,总存在着一些不连续的地方,如排气孔、散热缝、装配缝隙、插件孔等,这些不连续之处的存在将会降低设备外壳的屏蔽效能。 图 线路屏蔽层与设备外壳连接 (3)线路屏蔽 ① 建筑物之间线路的屏蔽 从雷电脉冲电磁场防护的角度来看,位于建筑物之间的户外线路(供电线或通信线)应采用带金属屏蔽的电缆,对于没有屏蔽的线路,应设置金属管道,让线路从管道中穿过,在进入建筑物的入口处,金属管壁应与建筑物的钢筋引下线或接地线作电气连接,如下图所示。 图 金属管在建筑物入口处的电气连接 当两座建筑物之间距离较长时,需要设置若干段金属管,在每两段金属管接头处应作可靠电气连接,以保证整个管道在电气上的连续性,这样的管道可以向其内部的线路提供有效的屏蔽
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