第2章节 半导体能带-zhaowr-2011.ppt

* 物理与光电工程学院 2.6.3 受主杂质、受主能级 硼掺入硅中, 硼只有三个价电子,与周围的四个硅原子成键时，产生一个空穴。其它成键电子很容易来填补这个空穴。填补时，空穴激发到价带（空穴电离，能量升高），同时硼原子成为负电中心。这一过程很容易发生，意味着空穴电离能较小。（思考：相反过程是什么？） 图2-22 受主杂质电离过程 图2-21 硅中的硼受主杂质 * 物理与光电工程学院 2.6.3 受主杂质、受主能级 等价表述 受主杂质 电离能 受主杂质 电离 硼原子看成是一个负电中心束缚着一个空穴, 空穴很容易电离到价带, 同时在硼原子处成为一个负电中心。 空穴挣脱受主杂质束缚的过程。 使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量。 P型半导体 * 物理与光电工程学院 2.6.4 杂质的补偿作用 当同一块半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，这种两种不同类型的杂质有相互抵偿的作用，称为杂质补偿作用。 补偿后半导体中的净杂质浓度为有效杂质浓度，只有有效的杂质浓度才能有效地提供载流子浓度。 * 物理与光电工程学院 2.6.4 杂质的补偿作用 （a）NDNA ND NA时,由于受主能级低于施主能级, 施主杂质的电子首先跳到受主杂质的能级上，此时还有ND- NA个电子在施主能级上。 在杂质全部电离时,它们跃迁到导带成为导电电子,有ND- NA个导带电子,半导体是n型的。 * 物理与光电工程学院 2.6.4 杂质的补偿作用 （b）ND NA ND NA时,由于受主能级低于施主能级, 施主杂质的电子首先跳到受主杂质的能级上,此时还有NA- ND个空穴在受主能级上。 在空穴全部电离时跃迁到价带时,有NA- ND个价带空穴,半导体是p型的。 * 物理与光电工程学院 2.6.5 深能级杂质 浅能级杂质 通常情况下，半导体中些施主能级距离导带底较近；或受主能能级距离价带顶较近。 深能级杂质 若杂质提供的施主能级距离导带底较远；或提供的受主能能级距离价带顶较远。 许多深杂质能级是由于杂质的多次电离产生的.每一次电离相应地有一个能级，这些杂质在硅或锗的禁带中往往引入若干个能级，而且有些杂质还可以引入施主能级，又能引入受主能级。如：Au在Ge中产生四个深杂质能级,其中三个为受主能级，一个为施主能级。 * 物理与光电工程学院 2.6.6 缺陷和位错能级 晶体中存在缺陷和位错的地方，严格的周期势场也会发生畸变，这些缺陷可以在半导体的禁带范围内引入电子能态而成为禁带中的缺陷或位错能级，这些能级一般也是深能级。 如：硅、锗中的空位引起不饱和的共价键存在，这些键倾向于接受电子而表现为受主作用；间隙硅可以失去未形成共价键的电子而表现出施主作用。 * 物理与光电工程学院 2.6.7 III、V族化合物半导体中的杂质及杂质能级 掺入II族原子替位III族原子起受主作用； 掺入VI族原子替位V族原子起施主作用； 掺入IV族原子，若替位III族原子起施主作用，若替位V族原子起受主作用。 * 物理与光电工程学院 作业： 解释:施主能级,施主电离能,受主能级,受主电离能. * 物理与光电工程学院 谢谢 Thanks Next：第3章 半导体中载流子的统计分布 Chapter 3 Statistical Distribution of Carrier  * 物理与光电工程学院 2.4.1 k空间等能面 若晶体各向同性（能量与波矢的关系不信赖于晶体学取向）, 且能量极值在k=0处,则有 且 因此有: 上式表示的等能面是一系列半径为： 的球面。 * 物理与光电工程学院 2.4.2 回旋共振的原理 基本原理 将半导体样品置于均匀的磁场中，同时对半导体加上交变电磁场。当电磁场的角频率等于半导体中电子 回旋共振的角频率时，可以观察到半导体对交变电磁场能量的吸收峰。由于电子回旋频率与电子的有效质量有一定的关系 ，从中可以测得电子的有效质量。 * 物理与光电工程学院 2.4.2 回旋共振的原理 设磁感应强度为B，其方向垂直于图中的平面. 电子运动初速度为v,v与B的夹角为?。则电子受到的磁场力为： 即电子沿磁场方向以 作匀速直线运动，而在垂直于磁场方向以速率： 作匀速圆周运动。其轨迹为一螺旋线。设圆周运动半径为r，回旋频率为?C * 物理与光电工程学院 2.4.2 回旋共振的原理 考虑一般情形,即晶体各向异性，等能面为椭球面. 设B与kx、ky、kz轴的方向余弦分别为?、?、?，则电子所受的力为： 分量形式: * 物理与光电工程学院 2.4.2 回旋共振的原理 电子的运动方程为： 电子应作周期性运动，取试探解： * 物理与光电工程学院 2.4.2 回旋共振的原理 代入运动方程，并根据v’