第3章节宋学军课件.ppt

(2) 如果两导体间的距离较近, 导体表面的电荷分布要受邻近导体的影响, 崐因而失去轴对称关系。若先找出电荷分布再计算电场非常困难, 所以设想用两根带电荷的平行细线来等效真正的表面电荷而保持导体表面的边界条件不变(第五章讨论的唯一性定理, 将说明边界条件不变, 原来问题的解也不变)。设两导体表面单位长度总的带电量为+ρl、-ρl(C/m), 由于异号电荷相互吸引, 两导体的内侧较外侧电荷密集, 故两平行细线电荷偏离原来轴线, 相互靠近, 令它们与坐标中心o的距离分别为h, 如图3 - 22(b)所示。 (1) 求解二带电细线位置h: ; 根据例3.6, 两带电平行细线空间任意点P的电位是 导体是等位体, 表面是等位面, 在二维平面场中只需找出上述位函数等位线的轨迹, 即能满足边界条件。 等位线轨迹为 整理后得 式中 图 3 - 23 平行双导线等位线图 (2) 如果电场强度最大值等于或大于电介质的击穿场强时介质就被击穿, 所以 得c=6mm,U0=2.7×105V § 3.4 静电场的边界条件 静电场的边界条件是研究物理量D、E、φ在媒质交界面上各自满足的关系。 与交变电磁场相同, 由静电场基本方程的积分形式, 即∮S D·ds=Q; 和∮lE·dl=0, 推导出两种不同媒质交界面的边界条件。为使导出的边界条件不受所取的坐标系的限制, 可将D、E在交界面上分成两个相互垂直的分量, 即垂直于交界面的法向分量(下标以n表示)和平行于交界面的切向分量(下标以t表示), 即 3.4.1 D与E满足的边界条件 或 式中,ρs为交界面上自由面电荷密度, 单位为C/m2。该式表示, 若两种媒质交界面上有自由电荷, 则D的法向分量不连续。 (1) 如果第二媒质是导体, 第一媒质是电介质。因为静电场中导体内部电场为零, 式(3 - 37)变为 (3 - 37) (2) 如果交界面的两侧都是电介质, 且分界面上没有自由电荷, 即ρs=0, 则式(3 - 37)改写为 而当ε1≠ε2时, E的法向分量不连续, 不连续的原因是交界面上有束缚面电荷密度。在各向同性介质中 所以交界面上总的束缚电荷密度为 根据D=ε0E+P可得P1n=D1n－ε0E1n,，P2n=D2n－ε0E2n, 因为D1n=D2n, 所以ρs’=ε0(E1n-E2n), 于是 根据静电场中E沿任意闭合路径的环量恒等于零这一概念, 沿交界面作一矩形闭合路径, 可以推得 可改写为 上两式相除, 得 图 3 - 17 电场方向在 交界面上的曲折 图 3 - 18 推导电位的边界条件 3.4.2 电位φ满足的边界条件 根据静电场的无旋性∮lE·dl=0, 在交界面两侧取一封闭矩形, h趋近于零, 如图3 - 18所示。 当电场强度E沿封闭矩形ABCD积分, 可得 当h→0时, C与B趋于同一点P, 取作为参考点,∫APE1·dl1=φA为介质1中边界面处的电位, 所以 得 或 因为 所以边界条件D1n-D2n=ρs可改写为 对两种介质的交界面, 则有 例 3.11 如图3 - 19所示的两个无限长同轴圆柱, 内、 外导体半径分别为a和b, 两导体间部分填充介电常数为ε的电介质, 内外导体间的电压为U0。图(a)中电介质与空气分界面的半径为c; 图(b)中0＜φ＜φ1间部分填充电介质。试对该二同轴线分别求出: (1) 内、 外导体间的电场强度E及电通量密度D; ; (2) 导体表面上单位长度的带电量ρl。 图 3 - 19 部分填充介质的同轴电缆 ［解］ 因为同轴圆柱是轴对称结构, 故只有沿半径ρ方向的电场。图(a) 结构中, 电场垂直于介质与空气的交界面, 根据两介质交界面上法向分量电通量密度相等的边界条件, 可知道不同介质内D的表示式相同。而在图(b)结构中, 电场平行于介质与空气交界面, 由交界面上电场强度切向分量连续的边界条件, 崐得知不同介质内E的表示式相同。 (1) 图(a)结构: 当ρ=c时, 令内、外导体表面上单位长度电量分别为+ρl、-ρl(C/m), 根据高斯定理可得 a＜ρ＜c时, c＜ρ＜b时, 所以 内导体带电量为+ρl ，外导体带电量为-ρl (2) 图(b)结构: 当φ=0时, 当0 φ φ1 当φ1 φ 360。时 所以 因而得 例 3.12 试用电位微分方程, 求解