电子束光刻技术的原理及其在微纳加工与纳米器件制备中的应用_张琨.pdfVIP

第25 卷 第2 期 电　子　显　微　学　报 Vol-25, No.2 2006 年4 月 Journal of Chinese Electron Microscopy Society 2006-4 文章编号:1000-6281(2006)02-0097-07 电子束光刻技术的原理及其在微纳加工与 纳米 件制备中的应用 1 2 3 3 1 ＊ 张　琨, 林　罡 , 刘　刚, 田扬超, 王晓平 (1 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室, 安徽 合肥230026; 2 南京电子 件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室, 江苏南京210016; 3 中国科学技术大学合肥同步辐射国家实验室, 安徽 合肥230026) 摘　要:电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一, 它可以制备特征尺寸10nm 甚至更小的图形。 随着电 子束曝光机越来越多地进入科研领域, 它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米 件的制备等方面都呈现出重 要的应用价值。本文以几种常见的电子束曝光机为例, 说明电子束光刻的工作原理和关键技术, 并给出一些它在 纳米 件和微纳加工方面的应用实例。 关键词:电子束光刻;微纳加工;纳米 件 + 中图分类号:TN305.7;TN405;TG115.21 5.3　　文献标识码:A 　　自2003 年以来, 微电子工业的特征尺寸已经悄 直写式与投影式。直写式就是直接将会聚的电子束 悄越过100nm 进入了纳米尺度。得益于浸入式光刻 斑打在表面涂有光刻胶的衬底上, 不需要光学光刻 技术的应用, 最新的奔腾芯片的最小尺寸是65nm, 工艺中最昂贵和制备费时的掩模;投影式则是通过 预计到2009 年使用波长 157nm 的深紫外光可以达 高精度的透镜系统将电子束通过掩模图形平行地缩 [1, 2] 到45nm 的最小尺寸 。 当 件的特征尺寸降到 小投影到表面涂有光刻胶的衬底上。直写式光刻技 100nm 以下时, 量子尺寸效应、限域效应等物理效应 术是最通常也是最常用的技术, 随着直写式电子束 对 件的影响变得越来越重要。此外, 随着纳米科 曝光机的小型化, 它在科学研究中的作用也日益广 技的发展, 各种新型的纳米材料和纳米结构不断制备 泛。本文以用于科研的直写式电子束曝光机为主, 出来, 但在将它们用于 件之前, 必须对其相关的物 简要介绍直写式电子束光刻的原理和系统、技术特 理特性有充分的了解和检测。因此, 拓展和完善现有 点及应用实例。 的各种微纳加工和制备技术是十分紧迫的任务。 1　电子束曝光机系统 光刻技术是微纳加工过程中的一个重要环节。 目前常规的光学光刻是利用KrF、ArF 光源。为了提 直写式光刻技术起源于扫描电镜。 自从20 世 [4～6] 高分辨率, 人们开发出许多分辨率增强技术 纪60 年代第一台电子束曝光机发明以来 , 开发 (RETs)。但提高光刻的数值孔径(NA 值)带来的是 出来众多的产品, 功能也不断地完善和改进。一般 巨大的成本压力, 且光学近邻修正技术(OPC)和相 而言, 直写式曝光机的工作原理是将精确聚焦的电 移掩膜(PSM )等进一步提高了微细加工的成本门 子束斑逐点地在样品台上移动, 而移动方式可以分 槛。即使这样, 光学光刻能否实现 30nm 技术节点