年北京市昌平区高三二模物理试题及答案.doc

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年北京市昌平区高三二模物理试题及答案

昌平区2015届高三第二次模拟理综物理试题 13.下列能揭示原子具有核式结构的是() A.α粒子散射实验B.C.D.氢原子光谱14.一单色光照到某金属表面时,有光电子从金属表面逸出,下列说法中正确的是() A.增大入射光的频率,金属的逸出功将增大 B.增大入射光的频率,光电子的最大初动能将增大 C.增大入射光的强度,光电子的最大初动能将增大 .延长入射光照射时间,光电子的最大初动能将增大 1. A. B.分子间作用力的合力一直增大 C. D. 16.如图所示,振幅、频率均相同的两列波实线与虚线分别表示两列波的波峰和波谷。,M波峰与波峰相遇,下列说法中正确的是) A.该时刻质点O正处于平衡位置 B.P、N两质点始终处在平衡位置 C.,质点M将O点处移动 D.从该时刻起,经过分之一周期,质点M到达平衡位置 17.如图甲所示,理想变压器原、副线圈的匝数比1∶ n2=101,R1=R=20Ω,C为电容器。已知的正弦如图乙所示,则? A.交流电的频率为Hz? B.副为20?V? C.电阻R的电功率为?W? D.通过R的电流始终为零? 18.一个质量为m的带电小球在竖直方向的匀强电场中水平抛出不计空气阻力测得小球的加速度为则在小球下落h高度的过程中下列说法正确的是 A.小球的动能增加mghB.小球的电势能mgh C.小球的重力势能减少mgh D.小球的机械能减少mgh 19.图(a)为研究平抛运动的实验装置斜槽末端B处已经水平,利用这套装置可以测量小物块Q 与平板P 之间的动摩擦因数将物块Q 在A 点由静止释放,测量出Q 落地点距B点的水平距离1;斜槽末端B处对接了平板P图(b)P 板的上表面与斜槽末端相切再次将物块Q 在A 点由静止释放,测量出Q 落地点距P 板右端的水平距离2;测量出斜槽末端高度h和平板P的长度L重力加速度为g,物块Q 与平板P 之间的动摩擦因数为 A. ... 20.已知无限长通电直导线周围某一点的磁感应强度B的表达式:B=,其中r0是该点到通电直导线的距离,I为电流强度,μ0为比例系数(单位为N/A2)。推断,一个半径为R圆,电流为I,其轴线上距圆心O点为r0的磁感应强度应为() . . . D. 21.(18分)A.电流表(量程为200μA,内阻约为200Ω) B.标准电压表(量程为2V) C.电阻箱(0~999Ω) D.滑动变阻器(0~200Ω) E.电位器(0~47kΩ变阻器) F.电源(电动势为2V,有内阻) G.电源(电动势为6V,有内阻) H.开关两个,导线若干 (1)首先要用半偏法测定电流表的内阻。如果采用如图所示的电路测定电流表的内电阻并且要想得到较高的精确度,那么以上给出的器材中,电阻Rl应选用________,电阻R2应选用__________,电源应选用___________。 (2)该实验操作的步骤有: A.合S1; B.合S2; C.观察R1的阻值是否最大,如果不是,将1的阻值调至最大; D.调节R1的阻值,使电流表指针偏转到满刻度; E.调节R2的阻值,使电流表指针偏转到满刻度的一半; F.记下R2的阻值把以上步骤的字母代号按实验的合理顺序填写在横线上 (3)如果在步骤F中所得的R2的阻值为200Ω,则图中被测电流表的内阻Rg的测量值为_________Ω,该测量值比实际值__________(选填大、小)。 (4)如果要将图中的电流表改装成量程为2V的电压表,则改装的方法是电流表应_________联一个阻值为_________Ω的电阻电流表与电阻箱改装成一电压表现要对此电压表进行校,所用的电路原理如图所示,图中给出了实验器材的实物图请按原理图的要求连成实验电路 (6)在校准的过程中,发现新改装的电压表比标准电压表的读数略小,则应适当     (选填“增大”或“减小”)电阻箱的阻值。 22.(1分)如图所示,水平桌面距水平地面高h=0.8m端放置一个质量m=0.kg的块B,桌面的端有一质量=0.6kg的小物块A。某时刻物块A以初速度v0=4m/s开始向滑动,与B发生桌面落到地面上的D点。块与桌面间的动摩擦因数μ=0.2重力加速度g=10m/s2。求: (1)块AB碰前瞬间,A的速度大小v1; (2)块AB碰后瞬间,A、B整体的速度v2; (3)B整体的落地点D距桌面右边缘的水平距离x。 23.(18分) 正电子发射计算机断层(PET)是分子水平上的人体功能显像的国际领先技术,它为临床诊断和治疗提供全新的手段。PET所用回旋加速器示意如图9,其中置于高真空中的两金属D形盒的半径为R,两盒间距很小,质子在两盒间加速时间可忽略不计。在左侧D1盒圆心处放有粒子源S不断产生质子,匀强磁场的磁感应强度为B,方向如图所示。质子质量为m,电荷量为q。假设

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