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声明：本模板内容是本刊已发表的一篇文章，并非基金项目结题报告。请作者按照模板的框架和格式将结题报告相应内容进行填充和编排，并通过网上投稿系统提交稿件：31/JournalX_zggx/authorLogOn.action?mag_Id=1 项目负责人或研究团队照片 项目负责人个人简介或研究团队介绍 项目负责人介绍： 林景全（1966 -），男，教授，博士生导师，1999年于中科院长春光机所获博士学位，2000年中科院物理所博士后出站。2000-2009年先后在日本产业技术综合研究所、德国慕尼黑大学等单位从事研究工作。目前主持国家自然基金面上项目三项以及国际合作项目一项、国防973子课题一项以及其他省部级科研项目多项。以第一作者或通讯的身份在美国的应用物理快报（Appl. Phys. Lett.）等国外著名的学术杂志上发表论文五十余篇。获得日本专利两项。 研究团队介绍： 课题组所在的超快光学实验室，依托于长春理工大学理学院及长春理工大学国际纳米光子学研究中心，于2009年组建成立，2011年被评为吉林省高强度飞秒激光与物质相互作用优秀团队称号。现有教授2名，副教授1名，讲师1名。研究组内现有博士研究生9名，其中3名为外国留学生；硕士研究生20余名（图1为研究组成员的照片）。近年来主要开展了极紫外光刻用激光等离子体光源、光电子光谱法对光刻掩膜进行缺欠在线检测、相干极紫外辐射、超快纳米尺度等离子体激元、飞秒激光材料表面功能微纳结构的制备、飞秒激光等离子体丝及应用，以及飞秒激光诱导击穿光谱以及等研究工作。 （项目负责人及研究团队介绍限一页） 文章编号 项目名称：激光等离子体极紫外光刻光源（二号） 项目成员：林景全*，孙长凯，窦银萍（四号） 项目承担单位：（长春理工大学 理学院，吉林 长春 130022）（五号） 摘 要：研究并讨论了下一代光刻的核心技术之一一激光等离子体极紫外光刻光源。简要介绍了欧美和日本等国极紫外光刻技术的发展概况，分析了新兴的下一代13.5nm极紫外光刻光源的现状，特别讨论了国内外激光等离子体极紫外光刻光源的现状，指出目前其存在的主要问题是如何提高光源的转化效率和减少光源的碎屑，同时概述了6.5-6.7nm极紫外光刻光源的最新研究工作。最后，介绍了课题组近年来在极紫外光源和极紫外光刻掩模缺陷检测方面开展的研究工作。（小五号） 关键词：极紫外光刻；激光等离子体；转换效率；碎屑 中图分类号：TP394.1；TH691.9 文献标识码：A doi: 10.3788/CO Laser-produced plasma light source for extreme ultraviolet lithography LIN Jing-quan*, SUN Chang-kai, DOU Yin-ping (College of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China) *Corresponding author, E-mail: linjingquan@ Abstract: Laser-produced plasma (LPP) extreme ultraviolet lithography (EUVL) light source is one of the core technologies of next generation lithography (NGL). It has been successfully applied to semiconductor optoelectronic industry and will energetically promote integrated chip into miniaturization and intelligentialization. In this paper, a brief review is given to the development situation of lithography technology in Europe, America and Japan. Being a newly arisen research direction, the status of next generation 13.5nm EUVL source is analyzed, and especially the research on EUVL source based upon LPP at home and abroad is described and analyze