锗硅表面结构和动态过程地ΣΤΜ研究3.PDFVIP

锗硅表面结构和动态过程的ΣΤΜ研究3 杨威生 盖 峥 北京大学物理系人工微结构与介观物理实验室 北京 摘 要 尽管作为微电子工业的基础 硅和锗的表面和界面几十年来一直是研究的热点 但和纳米技术等不断提 出的问题相比 对它们的了解仍很不够 为此 最近我们用扫描隧道显微镜和低能电子衍射方法 对锗硅表面的稳定 性 宏观小面化 纳米小面化 小面化的规律 稳定表面的比自由能 表面原子结构以及表面和亚表面原子的动态过程 ! ! ! ! ! 进行了大量的系统的研究 文章综述已取得的研究结果 这些结果除具有重要的基础意义外 对半导体异质外延生长 衬底选择以及量子线和量子点自组织生长模板的选择都会有帮助 关键词 扫描隧道显微镜 锗 硅 高指数表面 表面结构 表面动态过程 ≥× ΑΤΟΜΙΧΣΤΡΥΧΤΥΡΕΣΑΝΔ ΔΨΝΑΜΙΧΠΡΟΧΕΣΣΕΣΟΦΓεΑΝΔΣιΣΥΡΦΑΧΕΣ ≠ •2≥ (Δε αρτμεντο Πη σιχσανδτηεΣτατε Κε Λαβορατορ ορΑρτι ιχιαλΜιχροστρυχτυρεσανδ Μεσοσχο ιχΠησιχσ,Πεκιν Υνιϖερσιτ ,Βειιν ) π φ ψ ψ ψφ φ π ψ γ ψ ϕ γ Αβστραχτ ≥∏ ∏∏ √∏√√√√ ∏ ∏¬ ∏ ∏ 2 √ ∏2 √√ ∏ ∏∏2¬ ∏∏ ∏ ×∏ ¬ √∏∏∏ 2 ∏∏∏¬ Κε ωορδσ ∏ ≥× ∏2¬∏∏∏∏ ψ