半导体材料第7讲化合物半导体1.pptVIP

半导体材料 陈易明　mpcyjs@gdut.edu.cn 第六章　III－V族化合物半导体 一、重要 III－V族化合物半导体介绍 二、 III－V族化合物半导体的晶体结构 三、III－V族化合物半导体的能带结构 III一V族化合物半导体是由周期表中IIIA和VA族元素化合而成。 几乎在与锗、硅等第一代元素半导体材料的发展和研究的同时，科学工作者对化合物半导体材料也开始了大量的探索工作。 　　1952年Welker等人发现Ⅲ族和Ⅴ族元素形成的化合物也是半导体，而且某些化合物半导体如GaAs、InP等具有Ge、Si所不具备的优越特性(如电子迁移率高、禁带宽度大等等)，可以在微波及光电器件领域有广泛的应用，因而开始引起人们对化合物半导体材料的广泛注意。 　　但是，由于这些化合物中含有易挥发的Ⅴ族元素，材料的制备远比Ge、Si等困难。到50年代末，科学工作者应用水平布里奇曼法(HB)、温度梯度法(GF)和磁耦合提拉法生长出了GaAs、InP单晶，但由于晶体太小不适于大规模的研究。 　　1962年Metz等人提出可以用液封直拉法(LEC)来制备化合物半导体晶体，1965~1968年Mullin等人第一次用三氧化二硼(B2O3)做液封剂，用LEC法生长了GaAs、InP等单晶材料，为以后生长大直径、高质量Ⅲ-Ⅴ族单晶打下了基础。 化合物半导体材料砷化镓 砷化镓是化合物半导体中最重要、用