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IGBT的失效
绝缘栅双极晶体管 （IGBT）
的失效
器件设计与使用注意
北京工业大学
亢宝位
前 言
• 我国IGBT制造现状：
试制样品→ 占领市场
• 完成这一过程的关键：
解决使用中失效问题 （需几年时间）
• 本报告目的：
引起同行对失效问题的注意，促使这一过程的缩短
谨以此作为献给本会成立20年庆典的薄礼
• 歉意：
偏重器件设计制造；时间短只能讲讲提纲
梗 概
第一部分：开关过程中IGBT的失效原因
第二部分：开关过程中IGBT失效现象
第三部分：IGBT抗失效设计制造技术 拾贝
第四部分：IGBT防失效使用注意事项 拾零
第一部分：
开关过程中IGBT的失效原因
一、过温
二、过流
三、过压
四、动态雪崩击穿
五、热电载流子倍增
六、寄生晶闸管闩锁
七、动态寄生晶闸管闩锁
四、动态雪崩击穿 五、热电载流子倍增
栅关断状态 有负载电感的强迫电流 栅开通状态
(关断过程中） (通态短路时）
G
E G E
N P N P N N N N
P P
空穴
N- 电子流
电子 空穴流
耗尽层
耗尽层
N- C
N N
P P
C C
同时有大电流和高压时击穿电压远低于静态雪崩击穿电压
六、寄生晶闸管闩锁 七、动态寄生晶闸管闩锁
导通状态下闩锁 关断过程中闩锁
G
E E G
N P N P N N P N P N
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