第四篇 镀铜.docVIP

? 第四章 鍍銅 ? 4.1 銅的性質 ?4.2 銅鍍液配方之種類 4.3 硫酸銅鍍浴(Copper Sulfate Baths) 4.4 氰化鍍銅浴(Copper Cyanide Baths) ?4.5 焦磷酸銅鍍浴 ? 4.6 硼氟酸銅鍍浴(Copper Fluoborate Bath) ?4.7 不銹鋼鍍銅流程 ?4.8 銅鍍層之剝離 ?4.9　鍍銅專利文獻資料(美國專利) ?4.10 鍍銅有關之期刊論文 ? ? 4.1 銅的性質 色澤：玫瑰紅色 原子量：63.54 原子序：29 電子組態：1? 　 S22S22P63d104S1 比重：8.94 熔點：1083℃ 沸點：2582℃ Brinell硬度43-103 電阻：1.673 l W -cm，20?? ℃ 抗拉強度：220～420MPa 標準電位：Cu++e- →Cu為＋0.52Ｖ； Cu++ ＋2e-→Cu為＋0.34V。? 質軟而韌，延展性好，易塑性加工 導電性及導熱性優良 良好的拋光性 易氧化，尤其是加熱更易氧化，不能做防護性鍍層 會和空氣中的硫作用生成褐色硫化銅 會和空氣中二氧化碳作用形成銅錄 會和空氣中氯形成氯化銅粉末?。 銅鍍層具有良好均勻性、緻密性、附著性及拋光性等所以?可做其他電鍍金屬之底鍍鍍層。? 鍍層可做為防止滲碳氮化銅 唯一可實用於鋅鑄件電鍍打底用 銅的來源充足 銅容易電鍍，容易控制 銅的電鍍量僅次於鎳 4.2 銅鍍液配方之種類 　　?可分為二大類(見下表)： 優點 缺點 酸性銅 電鍍液 成份簡單毒性小，廢液處理容易。鍍浴安定，不需加熱。電流效率高價廉、設備費低。高電流密度，生產速率高 鍍層結晶粗大。不能直接鍍在鋼鐵上。均一性差 氰化銅 電鍍液 鍍層細緻。均一性良好可直接鍍在鋼鐵上 毒性強，廢液處理麻煩。電流效率低。價格貴，設備費高。電流密度小，生產效率低。鍍液較不安定，需加熱 　? P.S? 配合以上二種配方優點，一般採用氰化銅鍍液打底後，再?用酸性銅鍍液鍍銅，尤其是鍍層厚度需較厚的鍍件。 4.3 硫酸銅鍍浴(Copper Sulfate Baths) ????? 硫酸銅鍍浴的配製(prepare)、操作(operate)及廢液處理都 很經濟，可應用於印刷電路(printed circuits)、電子(electronics) 、印刷板(photogravure)、電(electroforming)、裝飾(decorative) 及塑膠電鍍(plating on plastics)。 　　其化學成份簡單，含硫酸銅及硫酸，鍍液有良好導電性，均一性差但目前有特殊配方及添加劑可以改 善。鋼鐵鍍件必須先用氰化銅鍍浴先打底或用鎳先打底(strike)，以避免置換鍍層(replacement diposits)及低附著性形成。 鋅鑄件及其他酸性敏感金屬要充份打底，以防止被硫酸浸蝕。鍍浴都在室溫下操 作，陽極必須高純度壓軋銅，沒有氧化物及磷化(0.02到0.08wt％P) ，陽極銅塊(copper anode nuggets)可裝入鈦籃(titanium baskets)使用， 陽極必須加陽極袋(anode bag)，陽極與陰極面積比應2：1，其陽極與陰極電流效率可達100％，不電鍍時陽極銅要取出。 4.3.1 硫酸銅鍍浴(standard acid copper plating) 一般性配方(general formulation)： Copper sulfate 195-248 g/l? 　　　　Sulfuric acid 30-75 g/l? 　　　　Chloride 50-120 ppm? Current density 20-100 ASF?(2)半光澤(semibright plating)：Clifton-Phillips 配方 Copper Sulfate 248 g/l? Sulfuric acid 11 g/l? Chloride 50-120 ppm? Thiourea 0.00075 g/l? ??? 　　　Wetting agent 0.2 g/l?(3)光澤鍍洛(bright plating)：beaver 配方 ?　　　　　　Copper sulfate 210 g/l? Sulfuric 60 g/l? Chloride 50-120 ppm? Thiourea 0.1 g/l? Dextrin 糊精 0.01 g/l?(4)光澤電鍍(bright plating)：Clifton-Phillips 配方 Copper sulfate 199 g/l? Sulfuric acid 30 g/l? Chloride 50-120 ppm