左手材料简介幻灯片.pptVIP

因而，Goos-H?nchen位移大小仅与两种介质的相对折射率n21及入射光波方向θ1有关。引起Goos-H?nchen位移的原因是电磁波并非由界面直接反射，而是在深入介质2的同时逐渐被反射，其平均反射面位于穿透深度处。若介质2为左手材料，则该位移沿光波传播反方向，称为反常Goos-H?nchen位移 1、微波段左手材料在无线通讯领域将有很大的应用前景。 可用作延迟线、耦合器、天线收发转换开关、固态天线、滤波器、光导航、微波聚焦器等。 微波左手材料还可广泛应用于微波器件。如微波平板聚焦透镜、带通滤波器、调制器、卫星反向天线、基于传输线左手材料的前向波方向耦合器、宽带相移器等。 另外，反常Cherenkov辐射效应可用于探测高能带电粒子。左手材料还可以制作便宜而性能好的磁共振成像设备。 手机辐射有望解决 　　目前利用左手材料的性质，已经可以通过人造结构来控制电磁波传播方向，制成定向天线，可以使它只向基站方向发射信号，并通过相关技术阻止信号向人脑方向的传播。 隐身材料的实现 左手材料制造的兵器可能将光线或雷达波反向散射出去，使得从正面接收不到反射的光线或微波，从而实现隐身。 2、可见光波段左手材料的实现将有革命性的前景 。左手材料能够突破该衍射极限，可应用于超灵敏单分子探测器，用于探测微量污染、极微量具有危险性的生物化学药剂、以及血液中标症早期疾病的蛋白质分子和医学领域诊断成像等。 利用其负折射和倏逝波放大特性，可以用其制作集成光路里的光引导元件，有望制作出分辨率比常规光学透镜高几百倍的扁平光学透镜。 左手材料也有望解决高密度近场光存储遇到的光学分辨率极限问题，可能制作出存储能量比现有DVD高几个数量级的新型光学存储系统。 3、左手材料纳米天线 纳米天线是由纳米金属线和圆环组成，具有等离子体效应，能对光子进行直接操纵，引导光无损耗的绕过拐角，由光子取代电子来完成电子线路的基本功能。 因为纳米天线可用于制造新颖光子器件，如带通滤波器、调制器、固态天线和体积小、速度快的芯片和电子计算机。 红外波段磁响应的实现可应用于生物安全成像、生物分子指纹识别、遥感、可视度极底的天气下的导航、微型谐振腔、可调透镜、隔离器等。 5.1实验装置 左手材料的透射实验、折射实验、和表面等离子极化波实验都是在二维散射室(2D scattering chamber)中进行.该散射室上、下盖板是两块平行的金属铝板,间距为0.4 inches.因为频率f15GHz的微波的半波长要大于两块平行的金属铝板的间距,因此金属边界条件迫使微波的电场E平行于铜导线. 微波吸收材料置于散射室的四周,它一方面能确保样品区的微波可以用平面波展开,另一方面能尽量减少来自散射室边缘的反射波.散射室的两端连接着微波发生器和接收器及相关分析装置. 5.2.1透射实验所用材料 透射实验所用的左手材料为15 cm 2(30×30个单胞,晶格常数a=5mm),见下图。图a中的c =0.25mm ,d =0.30mm,g =0.46mm,. w =2.62mm图b中的铜导线长度为10mm 宽度为0.25mm,印刷电路版材料厚度为0.25mm.。印刷电路版材料上的铜层厚度为0.03mm。 从图一可以看到:就SRR的色散关系而言,在频率10.3-11.1GHz之间存在一个禁带(位于图中两条虚线之间),这意味着在这个频率段μeff为负数.而左手材料(LHM)的色散关系表明:在频率10.3-11.1GHz之间出现了一个导带,如图中的实线所示.从该实线可以推导出电磁波的群速度v g0,因为v g=dω/dk0. 从图二可以看到:左手材料的透射功率沿 [10],[11],[01]三个方向并不完全重合,这意味着上述LHM并不是各向同性的(isotropic)。原因在于上述左手材料在组装时存在一些误差,而SRR的共振频率对材料参数的微小变化极端敏感。 比较图一和图二,可以发现在频率10.3-11.1GHz之间出现了透射功率, 且数值仿真结果和透射实验数据吻合较好。用转移矩阵法计算得到的LHM和SRRs透射功率如图四所示. 比较图三和图四, 可以看到:理论计算结果与实验数据吻合较好.这4个图说明在频率10.3-11.1GHz之间,按上述方法所制备的材料的确为左手材料(LHM). 左手材料与透射实验所用的左手材料相同,只是在组装方面有些折射实验所用的不同, 如图1所示.实验装置在透射实验基础上作了些改动,如图2所示.图中的黑色箭头代表微波束;样品和微波吸收材料置于上、下两块平行的圆形金属铝板之间, 间距为1.2cm,圆形金属铝板的半径为18cm.探测器可以沿着圆弧移动,以测量沿不同方向的透射功率.结果实验如下图3所示.