碳化硅单晶的缺陷研究.pdf

摘要 摘 要 本论文对物理气相传输法P(VT)法制备的碳化硅s(ci)单晶的主要缺陷 进行了系统研究，旨在认识siC单晶中各种缺陷的形成、发展、分布规律以及它 们之间的相互作用等降低siC单晶质量的关键问题。同时，通过对siC单品进行 退火处理，开辟了一种能够有效降低siC单晶中关键缺陷密度并提高siC单晶质 量的新途径。主要研究结果如下: 第一，使用多种手段对SIC单晶中的微管、异质包裹物、多晶型界面、平面 六方空洞、位错和层错等主要缺陷及其相互作用进行了系统研究和表征。在研究 siC晶体的 “杀手型”缺陷一微管缺陷中，与其它相关研究相比，首次将微管按 照其形成原因分为以下三种类型，并研究了这些缺陷的形成和发展:第一类微管 由晶体生长过程中的包裹物、平面六方空洞和多型界面等缺陷诱导形成:第二类 微管从籽晶中继承下来，并且在晶体生长过程中不断扩展:第三类微管由品体中 已经存在的微管发生分裂与闭合而形成。在对siC中异质包裹物的研究中，首次 发现了具有枝晶结构的硅包裹物，表征了具有椭圆结构碳包裹物的典型形貌，研 究了Sci生长过程中碳包裹物和硅包裹物的形成机制. 第二，通过对siC单晶进行KOH腐蚀处理，首次在siC单晶的碳面上获得 了等边三角形结构的腐蚀形貌，同时获得了siC晶体极性面的辨别方法。提出了 siC晶体中微管缺陷及微管密度的检测标准 (草案)。 第三，利用石墨体加热设备，开辟了一种能够有效消除微管和包裹物缺陷的 生长后退火处理方法。通过对退火处理前后在2英寸siC晶片的92个对称区域 进行X一射线衍射摇摆曲线对比检测，表明退火处理有效降低了2英寸siC晶片 的平均半峰宽(FW月M)，尤其是L一3区域的FW它M值在退火后降低了07，1%。 对退火前后的晶片进行缺陷观察，发现微管在退火过程中被新生长的siC晶粒所 填充，包裹物在退火后消失，这些成为退火处理降低微管密度和包裹物数量的直 接依据.根据X一射线衍射摇摆曲线和显微观察的结果对比，充分证明了退火处 理是一种有效提高SIC单晶质量的途径。 关键词:碳化硅，晶体缺陷，退火处理，形貌 第三代半导休碳化硅单晶的缺陷研究 L-i加hZ “找加瓜介朋己d人如tterP句四纪砂 D沁ctedbyP叫斥rOSs 刀ao.elng汤〔en 丁五edefectsof此 sliinoc cJa七diesi()cc叮5园9旧、栩勿htephysiacl军aPOr 七毗钾d(pv乃me比odhavcbenenvietsigat曰.T五eaimofhte invetsigatinossiol 朋d.rs加口dhte keyProblerl比ofd分 inghte siCc尽satlqualiyt，咏Iudnighte 几”刀atio氏veolutio氏助dditsributionof vraiuos Sci crysatl de丘℃tsnadhte 认t。旧ctionsofdiffe比nidefects.APP1ynightepotsthennalrteatmeniOthtesiCcrys1a1， ane，vuro比otdecreaes siCdsfec宜densiytnadnicre娜 山ea了引目qualiythas忱ne 。b面ned.1飞emainrees肚cbresults晚，从划m州欢dbrifeiyasofollws. Firstly，hte而。旧Pipe，械e阳9.七。usincl璐jo氏POI梦沙Pciin沈rafce，hexagonal voi氏dislOcat1onnadstackingafulthavebnee cbraacterized即dnvietsigated.The 引刀diesnohte defeCts 初t日邝t‘lons，nciudlnigthat比wteen阮 而rocPipenadhte inclusi叽htevoidnadhtepo】ytyPicnilerafcenadthatbewtenehte 引力ckinguafltnad htep01ytyPci inte到池ce，hva吧beneob妞ined.Accordingothte originofmicropipe，a ne、vclaSSi石c目tionof hte