模型自洽求解与二维电子气特性研究.pdfVIP

第 卷 第 期 ， %? % 固体电子学研究与进展 \*6 =%? 9* =% 年 月 @8O， %? ? WS.S5WXY Z )WH7WS.. H[ ..S %? !!!!!!! ! 宽禁带半导体 !!!!!! !#$% #$% 一维模型自洽求解和 二维电子气特性研究# 礻马 龙 王 燕 余志平 田立林 （清华大学微电子所，北京， ） !#$ 收稿， 收改稿 %’#’!# %’!’%( 摘要：实现了一维)*+,,*-’./01*2+-341 方程的自洽求解，在此基础上求出了56789: 789 异质结导带结构和二 维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了56789: 789 系统中隔离 层厚度对二维电子气浓度的影响，并对计算结果进行了分析。 关键词：铝镓氮 氮化镓；泊松方程；薛定谔方程；自洽解；二维电子气 中图分类号： ； 文献标识码： 文章编号： （ ） ;9! =% ;9$% 5 !’#! %? %’!(%’? ’()*+,-)(.,/($ 0)1*2/(.,.3)(3 %4-)5,2$ 6/+) $(+ 78/*+,-)(.,/($ 9)235/( #$.). 1/5 !#$% #$% @5 A*-3 B597 C8- CD E0+F+-3 ;G59 A+6+- （ ， ， ， ） !#$%$$’ () *%+,(’-’+$,(%+# () .#%/01 2%3’,#%$4 5’%6 %/ !#$ 789 ： ， !:.35$23 H-4’2+I4-,+*-86 )*+,,*-’./01*2+-341 4JK8L+*-, 814 ,*6M42 ,46N’/*-,+,L4-L6O N1*I P0+/0 L04 56789: 789 04L41*,L1K/LK14 /*-2K/L+*- Q8-2 8-2 L04 %RS7 24-,+LO 814 +-M4,L+38L42 = ;04 +-N6K4-/4 *N ,F8/41 68O41 P+2L0 *- L04 %RS7 24-,+LO +, /86/K68L42 N*1 L04 N+1,L L+I4， 4TF68-8L+*- 8-2 8-86O,4, 814 86,* 3+M4- = ： ； ； ； ； ;) 8/5+. !#$% #$% =/,../( )4$3,/( 02?5/+,(@)5 )4$3