第5章光刻工艺.pdf

第5章 光刻工艺 本章内容 5.1 光刻工艺与光刻胶 5.2 曝光原理 5.3 影响光刻质量的因素 5.4 掩膜版制造 5.5 光刻技术的发展 5.1 光刻工艺与光刻胶 5.1.1 光刻工艺简介 Lithography ：石（平，金属）版印刷术 光 匀胶、曝光、显影、坚膜 刻 刻蚀 光刻的确切含义是图形转移： Pattern Transfer —— 把（掩膜版上的）图形转移到硅片上 图形转移 掩模版 硅圆片 图形转移工艺 淀 积 薄 膜 匀胶、前烘 紫外光 曝 光 掩模版 显影、坚膜 腐 蚀 衬底 去 胶 IC技术水平常常以器件的“特征尺寸” 为标志的，所谓“特征尺寸”就是集成电路 所能加工的器件的最小尺寸。特征尺寸不 断缩小的关键就是光刻技术不断进步和发 展的结果。光刻技术是涉及到曝光设备、 感光材料、刻蚀设备以及其它各种工艺的 综合技术。 国际半导体工业技术协会公布的光刻技术要求 DRAM DRAM芯片 最小特征尺 套刻精度 年份 规模 面积（mm2 ） 寸（μm ） （μm ） 1997 256Mb 170～ 280 0.25 0.10 1999 1Gb 240～ 400 0.18 0.07 2003 4Gb 340～ 560 0.13 0.045 2006 16Gb 480～ 790 0.10 0.035 2009 64Gb 670～ 1120 0.07 0.025 2012 256Gb 950～ 1580 0.05 0.020 光刻工艺的环境要求 光刻工艺是影响成品率的关键。因此，光 刻环境是 IC 生产中洁净标准要求最高的，集成 度越高，对温度、湿度、洁净度和微振等要求 越高。 对于制造 256M DRAM 的光刻房间，要求 温度控制在 22 ±0.1 ℃；灰尘数量（颗粒直径 ≥0.12 μm ） ≤1 / 呎3 ；相对湿度控制在 43 ±3% ；振动（8-100HZ ）， ＜3 μm/sec 。 光刻工艺的质量要求 ● 图形完整性好。图形内没有针孔、更 不能断路；图形外没有小岛、更不能 短路。