薄膜的化学气相沉积.pdf

仅供学生学习参考，请勿扩散 1/31 仅供学生学习参考，请勿扩散 薄膜材料与技术，授课教师：张卫华 2007 1/31 薄膜材料与技术 薄薄膜膜材材料料与与技技术术 薄膜材料与技术 薄薄膜膜材材料料与与技技术术 第四章 薄膜的化学气相沉积 第第四四章章 薄薄膜膜的的化化学学气气相相沉沉积积 化学气相沉积（CVD）：利用气态的前驱物，通过原子、 • 化化学学气气相相沉沉积积（（CCVVDD））：：利利用用气气态态的的前前驱驱物物，，通通过过原原子子、、 分子间的化学反应途径生成固态薄膜的技术。 分分子子间间的的化化学学反反应应途途径径生生成成固固态态薄薄膜膜的的技技术术。。 1. 在相对高的压力下进行－获得高的沉积速率 11.. 在在相相对对高高的的压压力力下下进进行行－－获获得得高高的的沉沉积积速速率率 2. 气相分子路径不再是直线，取决于气压、温度、组分、 22.. 气气相相分分子子路路径径不不再再是是直直线线，，取取决决于于气气压压、、温温度度、、组组分分、、 激发状态、薄膜表面状态 激激发发状状态态、、薄薄膜膜表表面面状状态态 3. 可用于高纯晶态、非晶态金属、半导体、化合物薄膜 33.. 可可用用于于高高纯纯晶晶态态、、非非晶晶态态金金属属、、半半导导体体、、化化合合物物薄薄膜膜 4. 有效控制薄膜化学成分、高沉积效率、低运行成本、 44.. 有有效效控控制制薄薄膜膜化化学学成成分分、、高高沉沉积积效效率率、、低低运运行行成成本本、、 工艺相容性好 工工艺艺相相容容性性好好 仅供学生学习参考，请勿扩散 2/31 仅供学生学习参考，请勿扩散 薄膜材料与技术，授课教师：张卫华 2007 2/31 本章主要内容 本本章章主主要要内内容容 本章主要内容 本本章章主主要要内内容容 第四章 薄膜的化学气相沉积 第第四四章章 薄薄膜膜的的化化学学气气相相沉沉积积 一、CVD基本类型 一一、、CCVVDD基基本本类类型型 热解反应、还原反应、氧化反应、置换反应、歧化反应、 热热解解反反应应、、还还原原反反应应、、氧氧化化反反应应、、置置换换反反应应、、歧歧化化反反应应、、 气相输运 气气相相输输运运 二、CVD过程的热力学 二二、、CCVVDD过过程程的的热热力力学学 化学反应的自由能变化、反应路线选择、化学反应平衡的 化化学学反反应应的的自自由由能能变变化化、、反反应应路路线线选选择择、、化化学学反反应应平平衡衡的的 计算 计计算算 三、CVD过程的动力学 三三、、CCVVDD过过程程的的动动力力学学 气体的输运、气相化学反应、气相扩散、表面吸附及表面 气气体体的的输输运运、、气气相相化化学学反反应应、、气气相相扩扩散散、、表表面面吸吸附附及及表表面面 化学反应 化化学学反反应应 四、CVD装置： 四四、、CCVVDD装装置置：： 高低温CVD、低压CVD、激光辅助CVD、金属有机化合 高高低低温温CCVVDD、、低低压压CCVVDD、、激激光光辅辅助助CCVVDD、、金金属属有有机机化化合合 物CVD、等离子体辅助CVD（PECVD） 物物CCVVDD、、等等离离子子体体辅辅助助CCVVDD（（PPEECCVVDD）） 仅供学生学习参考，请勿扩散 3/31 仅供学生学习参考，请勿扩散 薄膜材料与技术，授课教师：张卫华 2007 3/31