光电材料与器件第9章单元探测器件.ppt

* 当红外辐射照射到已经极化的热释电晶体时，引起温度升高，表面电荷减少，相当于热“释放”了部分电荷。释放的电荷变成电信号输出。如果辐射持续作用，表面电荷将达到新的平衡，不再释放电荷，也不再有电信号输出。因此，热释电器件不同于其他光电器件，在恒定辐射作用的情况下输出的电信号为零；只有在交变辐射的作用下才会有信号输出。 * 面电极结构：电极置于热释电晶体的前后表面上, 其中一个电极位于光敏面内。 这种电极结构的电极面积较大，极间距离较少，因而极间电容较大，故其不适于高速应用。此外，由于辐射要通过电极层才能到达晶体，所以电极对于待测的辐射波段必须透明。 边电极结构：电极所在的平面与光敏面互相垂直，电极间距较大，电极面积较小，因此极间电容较小。由于热释电器件的响应速度受极间电容的限制，因此，在高速运用时以极间电容小的边电极为宜。 2.热释电探测器的基本结构 * 3. 热释电探测器的工作原理 热释电晶体吸收交变频率为ω的入射辐射后，其温度和自发极化强度也按频率ω而变化，从而导致晶体表面电荷密度也按频率ω而变化。 在晶体的相对两面敷上电极，如果接上负载就有电流流过。 * 设晶体自发极化矢量为Ps，Ps的方向垂直于电容器的极板平面。接收辐射的极板和另一极板的重迭面积为Ad。由此引起表面上的束缚极化电荷为 Q = Adσ=AdPs 若辐射引起的晶体温度变化为ΔT