第2节 降低复合.pdfVIP

第二节第二节降低复合降低复合 • 复合损失 复合损失及影响电流收集复合损失及影响电流收集 （（IscIsc）），又影响又影响 正向饱和电流（Voc ）。复合通常以其在电 池中产生的区域进行分类。电池表面（表 面复合面复合））和体内和体内 （（体复合体复合））是复合发生的是复合发生的 主要区域。耗尽区（耗尽区复合）是另外 一个复合可以产生的区域。体和表面复合 见见动画动画11. • 复合对Isc的影响 为了让PN结能够收集到所有的光生载流子，要 求表面和体复合都必须降到最低求表面和体复合都必须降到最低。在硅太阳电池在硅太阳电池 中，要收集到这样的电流通常要满足两个条件： 1. 载流子必须产生在距离结区扩散长度以内，这 样才能在复合前扩散到结区。 2. 如果存在局域态高复合中心（如未被钝化的表 面态或者多晶器件中的晶界面态或者多晶器件中的晶界）），那么载流子产生那么载流子产生 的地点必须离结区比较近（相对复合中心）；对 于低复合率的局域态而言于低复合率的局域态而言 （（如钝化的表面如钝化的表面）），载载 流子产生的地点可以离复合中心比较近，而且还 可能在被复合前，扩散到结区被收集。 • 太阳电池前表面或者背表面存在局域复合太阳电池前表面或者背表面存在局域复合 中心，会使得不同能量的光子具有不同的 收集几率收集几率。因为蓝光具有高吸收系数因为蓝光具有高吸收系数，在在 前表面被吸收前表面被吸收，那么如果前表面具有高复那么如果前表面具有高复 合中心，蓝光产生的少数载流子就不可能 被被PN结收集到结收集到。同样同样，如果背表面复合严如果背表面复合严 重重，会会主要影响那个要影响那个红外光产外光产生的载流子的载流子 的吸收，这是因为红外光能在器件的深处 产生载流子产生载流子。太阳电池的量子效率太阳电池的量子效率 （（QE ）） 可以表征复合对于光可以表征复合对于光生电流的影响电流的影响。 QEQE与复合与复合 理想电池以及实际电池的QE示意图 三种晶体硅电池的三种晶体硅电池的QEQE 曲线曲线。其中埋栅电池和其中埋栅电池和 说明光损失及复合损失 丝网印刷电池的曲线是IQE 曲线，而PERL则 是EQE 曲线。PERL电池红外光响应最好，这 是因为其具有很好的背面钝化以及背面光陷。 • 复合对Voc 的影响 开路电压指正向偏置下扩散电流正好等 于光生电流时电池两端产生的电压于光生电流时电池两端产生的电压。正向正向 扩散电流取决于电池中复合的多少，增加 复合可以提高正向偏置电流。高复合增加 了正向偏置扩散电流了正向偏置扩散电流，，结果导致开路电压结果导致开路电压 的降低。表征正向偏置下复合的材料参数 是是二极管饱和电流极管饱和电流。复合受到结区边缘少复合受到结区边缘少 子数量多少限制，少子离开结区越快，就 越早被复合。开路电压受到以下参数的影 响响： 1. 结区边缘少子数目。从PN结另一端注入的少子数目 等于平衡少子数目乘以与正向偏压和温度有关的指 数因子数因子。。因此因此，，减少平衡少子浓度可以降低复合减少平衡少子浓度可以降低复合。。 减少平衡少子浓度可以通过增加掺杂来获得。 22. 材料的扩散长度材料的扩散长度。低扩散长度意味着少子离开结区低扩散长度意味着少子离开结区 边缘后很快被复合了，这样使得更多的载流子越过 结区，从而增加了正向偏置电流。因此如果要降低 复合获得较高开路电压，那么就需要增加扩散长度。 扩散长度取决于材料的类型，和工艺经历的工艺过 程程，，以及硅片的掺杂有关以及硅片的掺杂有关。。高掺杂会降低扩散长度高掺杂会降低扩散长度，， 因而就需要在保证高扩散长度（影响Isc和Voc ）以及 获得高开路电压上找到一个平衡获得高开路电压上找到一个平