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2017-09-20 发布于河南
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BLF6G10L-260PRN; BLF6G10LS-260PRN Power LDMOS transistor Rev. 1 — 12 August 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 260 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performance at Tcase = 25 °C in a class-AB production test circuit. Mode of operation f VDS PL(AV) Gp ηD ACPR (MHz) (V) (W) (dB) (%) (dBc) 2-carrier W-CDMA 920 to 960 28 40 22.0 26.5 −39[1] [1] Test signal: 3GPP test model 1; 1 to 64 DPCH; PAR = 7.5 dB at 0.01 % probability on CCDF per carrier; carrier spacing 5 MHz. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken during transport and handling. 1.2 Features and benefits Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 920 MHz and 960 MHz, a supply voltage of 28 V and an IDq of 1800 mA: Average output power = 40 W Power gain = 22.0 dB Efficiency = 26.5 % ACPR = −39 dBc Easy power control Integrated ESD protection