金属有机化学气相沉积法生长纯闪锌矿结构P型砷化镓纳米线.pdfVIP

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2017-10-16 发布于湖北
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金属有机化学气相沉积法生长纯闪锌矿结构P型砷化镓纳米线.pdf

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金属有机化学气相沉积法生长纯闪锌矿结构P型砷化镓纳米线

Vol. 32,No. 5 JournalofSemiconductors May2011 Growthofpurezinc blende p-type GaAs nanowiresbymetal-organicchemical vapordeposition Li Ran(李然) ,Huang Hui(黄辉) ,Ren Xiaomin(任晓敏) ,Guo Jingwei(郭经纬) , Liu Xiaolong(刘小龙) ,Huang Yongqing(黄永清) ,and Cai Shiwei(蔡世伟) Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Ministry of Education, Beijing University of Posts andTelecommunications,Beijing 100088, China ElectronicsScience and TechnologyInstitute, Dalian University of Technology,Dalian116085,China Abstract: Verticalp-typegalliumarsenide(GaAs)nanowireswithpurezincblendestructureweregrownonGaAs (111)Bsubstratebymetal-organicchemicalvapordepositionviaaAu-catalystvapor-liquid-solidmechanism.The p-typedopingwasinvestigatedbyadditionaldiethylzinc(DEZn).InthehighII/IIIratiorange(II/III9.1%),there existsacriticallengthbeyondwhichkinkingtakesplace.Twopossiblereasonsarediscussed.Znoccurrenceinthe nanowires was verified by energy dispersive X-ray (EDX) analysis. Corresponding to II/III 0.2%, the doping concentrationisabout cm . Keywords: GaAsnanowire; p-type doping;metal organicchemical vapor position; zinc-blende structure DOI: 10.1088/1674-4926/32/5/053003 PACC: 0130;0220;7280E 1. Introduction system at a pressure of 100 Torr . Growth of P-GaAs nanowirewascarriedoutinthefollowingsteps.(1)a4nmAu Semiconductornanowires(NWs)areidealbuildingblocks