第1章节-常用半导体器件.ppt

1、PN结的形成 1、PN结的形成 (1) UDD=10V 使用理想模型： UD=0V, ID=UDD/R=10V/10K=1mA 使用恒压降模型： UD=0.7V, ID=(UDD-UD)/R=(10V-0.7V)/10K=0.93mA 使用折线模型： ID=(UDD-Uon)/(R+rD)=(10V-0.7V)/(10K+0.2K)=0.912mA UD=Uon+IDrD=0.7+0.912mA×0.2K=0.88V (2) UDD=1V 使用理想模型： UD=0V, ID=UDD/R=1V/10K=0.1mA 使用恒压降模型： UD=0.7V, ID=(UDD-UD)/R=(1V-0.7V)/10K=0.03mA 使用折线模型： ID=(UDD-Uon)/(R+rD)=(1V-0.7V)/(10K+0.2K)=0.03mA UD=Uon+IDrD=0.7+0.03mA×0.2K=0.71V 解：负载所消耗的功率=ULIL (1) 负载电流最大值 ILM=PLM/UL=0.5W/9V=56mA (2) 检验稳压管的额定功率： 当空载时(IL=0)时，稳压管的最大功率为： PZ=IRUZ=((UIM-UZ)/R)UZ=((13.6-9)/51)×9=0.81W 此功率未超过稳压管的额定功率。 (3) 检验限流电阻R的功率定额： 当UI=UIM且为满负载的情况下，R上所消耗的功率为： PR=URIR=(UIM-UZ) × (UIM-UZ)/R=(13.6-9) ×(13.6-9)/51=0.41W 为了安全和可靠起见，限流电阻R以选用1W的电阻为宜。   又称晶体管，英文名称：Transister。 半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管(BJT)， Bipolar Junction Transistor 二是场效应半导体三极管(FET)。 Field Effect Transistor 发射区的掺杂浓度大， 集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。 基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如下图所示。 UCE=0V的曲线：相当发射结的正向特性曲线。 UCE≥1V时： UCB= UCE - UBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。 UCE再增加时：曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。 （2）输出特性曲线 当UCE=0V时：因集电极无收集作用，iC=0。 当UCE稍增大时：发射结虽处于正向电压之下，但集电结反 偏电压很小，如： UCE 1 V UBE=0.7 V UCB= UCE- UBE= 0.7 V 集电区收集电子的能力很弱， iC主要由UCE决定。 当UCE增加到使集电结反偏 电压较大时，如： UCE ≥1 V UBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子基本上都 可以被集电区收集，此后UCE 再增加，电流也没有明显的增 加，特性曲线进入与UCE轴基 本平行的区域。 (与输入特性曲线随UCE增大而 右移的原因是一致的) 。 输出特性曲线可以分为三个区域: 3 极限参数 如图所示，当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 至于?值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。 3）反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时 的原理电路如图所示。 1. U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。 CB代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 如果在使用二极管的电路中，忽略二极管的正向电压和反向饱和电流，即假设它们都为零，则认为二极管为理想二极管，其伏安特性如图1-14（a）所示。图中的实线表示理想二极管的伏安特性，虚线表示实际二极管的伏安特性。由图可见，理想二极管正向导通时，其端电压等于零，相当于短路；反向截止时，电流等于零，相当于开路。所以理想二极管相当于一个理想开