第一章节常用半导体器件1.ppt

模拟电子技术基础;第 1 章 半导体器件;;1.1.1 本征半导体;硅(锗)的原子结构;本征激发：;两种载流子;1.1.2 杂质半导体;1.1.2 杂质半导体;二、杂质半导体的导电作用;三、P 型、N 型半导体的简化图示;;3. 扩散和漂移达到动态平衡;P 区;三、PN 结的伏安特性;1.2　半导体二极管;1.2.1 半导体二极管的结构和类型;点接触型;1.2.2 二极管的伏安特性;二、二极管的伏安特性;反向击穿类型：;硅管的伏安特性;温度对二极管特性的影响;1.2.3 二极管的主要参数;影响工作频率的原因 —;1.3　二极管电路的 分析方法;1.3.1 理想二极管及二极管特性的折线近似;二、二极管的恒压降模型;三、二极管的折线近似模型;UD(on);[解];例1.3.2 试求电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。;UO = VDD1 ? UD(on)= 15 ? 0.7 = 14.3 (V);例 1.3.3 二极管构成“门”电路，设 V1、V2 均为理想二极管，当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时，求输出电压 UO 的值。;;例 1.3.4 画出硅二极管构成的桥式整流电路在 ui = 15sin?t (V) 作用下输出 uO 的波形。;O;例 1.3.5 ui = 2 sin ?t (V)，分析二极管的限幅作用。;思考题:;1.3.2 图解法和微变等效电路法;也可取 UQ = 0.7 V;iD / mA;iD / mA;ui;2. 动态分析;1.4　特殊二极管;1.4.1 稳压二极管;二、主要参数;5. 稳定电压温度系数 CT;例 1.4.1 分析简单稳压电路的工作原理， R 为限流电阻。;1.4.2 发光二极管与光敏二极管;2. 主要参数;二、光敏二极管;补充：选择二极管限流电阻;1.5　双极型半导体 三极管;(Semiconductor Transistor);分类：;二、电流放大原理;实现电路:;3. 三极管内部载流子的传输过程;I CN;4. 三极管的电流分配关系;IE = IC + IB;1.5.2 晶体三极管的特性曲线;O;二、输出特性;iC / mA;iC / mA;三、温度对特性曲线的影响;2. 温度升高，输出特性曲线向上移。;1.5.3 晶体三极管的主要参数;iC / mA;三、极限参数;U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。;1.6　场效应管;引 言;特点：;1.6.1 结型场效应管;2. 工作原理;3. 转移特性和输出特性;一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET);2. 工作原理;1)uGS 对导电沟道的影响 (uDS = 0);2) uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th));3. 转移特???曲线;4. 输出特性曲线;二、耗尽型 N 沟道 MOSFET;二、耗尽型 N 沟道 MOSFET;三、P 沟道 MOSFET;N 沟道增强型;O uDS /V;1.6.3 场效应管的主要参数;UGS(th);4. 低频跨导 gm ;PDM = uDS iD，受温度限制。;小 结;一、两种半导体和两种载流子;iD;3. 二极管的等效模型;4. 二极管的分析方法;三、两种半导体放大器件;放 大 条 件;4. 特性;iC / mA;5. 参数;场效应管;2. 特点;不同类型 FET 转移特性比较;四、晶体管电路的基本问题和分析方法;判断饱和还是放大：