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第一章节基本半导体器件
模拟电子技术;电子技术就是研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术。;电子器件的发展历程
第一代电子器件;电子管的主要特点;第二代电子器件——晶体管;a. 体积小、重量轻。;2.电子电路;(3) 电子电路必须采用非线性电路的分析方法来分析;分立电路 —— 由各种单个的电子器件和元件构成的电路;集成电路(IC—integrated circuit)—— 把许多晶体管与电阻等元件制作在同一块硅晶片上的电路;世界上第一块集成电路在1959年美国的德州仪器公司和西屋电气公司诞生,电路上仅集成了4只晶体管。;模拟电子;1. 本课程的性质;5. 学习方法;课外阅读教材:;第1章 基本半导体器件 ;本章重点和考点:;本章讨论的问题:;导体:自然界中很容易导电的物质称为导体,金属一般都是导体。;半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有不同于其它物质的特点。例如:;1-1-1 本征半导体(纯净和具有晶体结构的半导体);;在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点阵,每个原子都处在正四面体的中心,而四个其它原子位于四面体的顶点,每个原子与其相邻的原子之间形成共价键,共用一对价电子。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;+4;电子和空穴产生过程动画演示;;接下来介绍:半导体导电机理;在外电场作用下;电子运动形成电子电流;+4;+4;+4;+4;+4;半导体导电机理动画演示;总结:本征半导体的导电机理;温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点------半导体的热敏性。;1-1-2 杂质半导体;一、N 型半导体;+4;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意图;P型半导体的形成过程动画演示;N型半导体形成过程动画演示;小 结;回答问题;;;P 型半导体;漂移运动;;;;1.空间电荷区中没有多数载流子。;问题;;;;;(1) 加正向电压(正偏)——电源正极接P区,负极接N区 ;(2) 加反向电压——电源正极接N区,负极接P区 ;
PN结加正向电压时,??以有较大的正向扩散电流,即呈现低电阻, 我们称PN结导通;
PN结加反向电压时,只有很小的反向漂移电流,呈现高电阻, 我们称PN结截止。
这就是PN结的单向导电性。;回答问题;小结;二极管;;;;;;1-2半导体二极管;;;;;;;;;;;;;;;;1-2-2 伏安特性;1-2-3 主要参数;4. 反向电流 IR;5. 微变电阻 rD;6. 二极管的极间电容(结电容)*☆; 当外加正向电压不同时,PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同(相当于电容的充放电)。;PN结高频小信号时的等效电路:;☆☆☆ 从二极管的主要参数中可得出二极管单向导电性失败的场合及原因 ☆☆☆;实际二极管:死区电压? 0.5V,正向压降?0.7V(硅二极管)
理想二极管:死区电压=0 ,正向压降=0 ;二极管的应用举例2:波形转换;;(4)稳定电流IZ ,最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。;稳压管只有与适当的电阻连接才能起到稳压作用。;稳压二极管的应用举例;选择限流电阻阻值的原则;1-3-2光电二极管;1-3-3发光二极管;1.半导体中有两种载流子:电子和空穴。电子带负电,空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质,可以得到N型半导体和P型半导体。
2.采用一定的工艺,使P型和N型半导体结合在一起,就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电。
3.二极管是由???个PN结构成的。;二极管的应用; 2.双向限幅电路 ;例1:二极管构成的限幅电路如图所示,R=1kΩ,UREF=2V,输入信号为ui。
(1)若 ui为4V的直流信号,分别采用理想二极管模型、恒压源模型计算电流I和输出电压uo;(2)如果ui为幅度±4V的交流三角波,波形如图所示,分别采用理想二极管模型和恒压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。;0;例2:在下图中,试求以下几种情况的端电压VY及各元件流过的电流:;(2)UA=6V,UB=5.8V;;例3:两个稳压管,稳定电压分别为5.5V和8.5V,正向导通压降都是0.5V,如果要得到0.5V、3V、6V、9V和14V应如何连接?;例3:两个稳压管,稳定电压分别为5.5V和8.5V,正向导通压降都是0.5V,如果要得到0.5V、3V、6V、9V和14V应如何连接?;二极管模型:理想二极管、理想二极管串联电压源(恒压降)、折线模型、恒压降串联电阻(考虑压降的折线模型)、用数字公式近似描述的二极管伏安特性:;
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