第九章节 光电传感器.ppt

第9章 光电式传感器 将光量转换为电量的器件称为光电传感器或光电元件。光电式传感器的工作原理是：首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后通过光电转换元件变换成电信号。光电传感器的工作基础是光电效应。 9.1 光电器件 光电效应按其作用原理可分为外光电效应和内光电效应。 一. 外光电效应 在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射的现象称为外光电效应。 基于外光电效应的光电器件由光电管、光电倍增管等。 我们知道，光子是具有能量的粒子，每个光子具有的能力由下式确定。 二.内光电效应 受光照的物体导电率发生变化，或产生光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。 1）光电导效应。在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电阻率变化，这种效应称为光电导效应。基于这种效应的器件有光敏电阻等。 2）光生伏特效应。在光线作用下能够使物体产生一定方向电动势的现象叫光生伏特效应。基于该效应的器件有光电池和光敏晶体管等。 二 光电器件的特性参数 灵敏度 光谱特性 等效噪声功率 响应时间 线性度 温度特性 9.2.1 外光电效应型光电器件 当光照射到金属或金属氧化物的光电材料上时，光子的能量传给光电材料表面的电子，如果入射到表面的光能使电子获得足够的能量，电子会克服正离子对它的吸引力，脱离材料表面而进入外界空间，这种现象称为外光电效应。 即外光电效应是在光线作用下，电子逸出物体表面的现象。 根据外光电效应做出的光电器件有光电管和光电倍增管。 1、光电管及其基本特性 光电管的伏安特性 光电管的光照特性 光通量：光源单位时间内发出的光量称为光通量。光通量的单位为流明（lm），通常用符号Φ表示。 光强：光源在给定方向的单位立体角中发射的光通量定义为光源在该方向的光强。光强的单位为坎德拉（cd），通常用符号I表示。 照度：指被照面上单位面积所接受的光通量的大小（即光通量密度），是表征表面被照明程度的量。照度的单位是勒克斯（lx），通常用符号E表示。 光电管的光谱特性 2、光电倍增管及其基本特性 主要参数 倍增系数 M 阳极电流 光电倍增管的电流放大倍数 光电阴极灵敏度和光电倍增管总灵敏度 暗电流 光电倍增管的光谱特性 9.2.2 内光电效应型光电器件 内光电效应是指在光线作用下，物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的现象 （1）光敏电阻  1. 光敏电阻的结构与工作原理 光敏电阴是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性， 使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。 无光照时，光敏电阻值（暗电阻）很大，电路中电流（暗电流）很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时，它的阻值（亮电阻）急剧减小，电路中电流迅速增大。 一般希望暗电阻越大越好，亮电阻越小越好， 此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级， 亮电阻值在几千欧以下。 光敏电阻的结构 2. 光敏电阻的主要参数 暗电阻 光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻， 此时流过的电流称为暗电流。  亮电阻 光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。  光电流 亮电流与暗电流之差 3、光敏电阻的基本特性 伏安特性 在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系。 光照特性 指光敏电阻的光电流I和光照强度之间的关系 光谱特性 光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系。即光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用，即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。 温度特性 光敏电阻和其它半导体器件一样，受温度影响较大。温度变化时，影响光敏电阻的光谱响应、灵敏度和暗电阻。 硫化铅光敏电阻受温度影响更大。 光敏电阻的应用 1.光照度计 农作物日照时数测定。 输出接单片机的I/O口，每2分钟对此口查询1次，为高电平，计数一次，为低电平，不计数。1天查询720次。 无光照V0=VL 。有光照V0=VH。 （2）光电池 光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。即电源。  工作原理：基于“光生伏特效应”。 光电池实质上是一个大面积的PN结，当光照射到PN结的一个面，例如P型面时， 若光子能量大于半导体材料的禁带宽度，那么P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴， 电子-空穴对从表面向内迅速扩散， 在结电场的作用下，最后建立一个与光照强度有关的电动势。 光电池结构、符号 光电池种类 光电池的种类很多，有硅光电池、硒光电池、锗光电池、砷化镓光电池、氧化亚铜光电池等 最受人们重视的是硅光电池。因为它具有性能稳定、光谱范围宽、频率特性好、转换效率高、能耐高温辐射、价格便宜、寿命长等特点。它不仅广泛应用于人造卫星和宇