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第二章 光电传感原理 基于光电效应原理工作的光电传感器，在检测和控制中应用非常广泛。本章主要介绍光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏晶体管等典型光电器件的光电原理，及光谱响应、频率响应、时间响应等主要参数与基本特性。 光电传感技术 2.1 电磁波谱 2.2 辐射源特性及其度量 2.3 光电效应 2.4 光电探测传感器件 电磁波谱 辐射源特性及其度量 辐射源特性 （1）光谱特性：辐射源的辐射强度随波长分布。 （2）能量特性 ：能量大小。辐射光功率通量，光强度，光亮度 （3）角度特性 ：辐射源的强度沿空间角度分布。 辐射源的度量 对辐射源的度量有两种：光度量制和辐射度量制。 光度量制以人眼或经视见函数校正过的照度计作为探测器； 辐射度量制以无光谱选择性的真空热电偶作为探测器 光电效应 光电效应是指因光照而引起物体电学特性改变的现象。电学特性变化是指光照射物体时，物体发射电子、电导率发生变化或产生光电动势等。 光电效应大致可归纳为两大类： 外光电效应——物质受到光照后向外发射电子的现象，这种效应多发生于金属和金属氧化物； 内光电效应——物质受到光照后所产生的光电子只在物质内部运动，而不会逸出物质外部的现象，这种效应多发生于半导体内。内光电效应又可以分为光电导效应和光生伏特效应。 光电导效应 光电导效应是指物体受光照射后，其内部产生光生载流子，使物体中载流子数显著增加而电阻减小的现象。 这种效应在很多半导体和绝缘体中都存在。 而金属的电子能态与半导体和绝缘体不同，在光照下电阻没有改变，因此不产生光电导效应。 表征光电导体器件，最重要的参数为 1、灵敏度：指在一定条件下，单位照度所产生的电流。 2、弛豫时间（惰性）：非平衡载流子效应，表示光电导上升或者下降的时间，称驰豫时间。 光照射样品后，样品的光电导逐渐增加，最后达到定态；光照停止，样品的光电导在一段时间内逐渐消失。表征了光电导对光强变化反应的快慢。 光生伏特效应 光生伏特效应是指，光照使不均匀半导体或均匀半导体中光电子和空穴在空间分开而产生电位差的现象，是把光能变为电能的一种效应。 因此光照在半导体PN结或金属半导体接触面上时，在PN结或金属半导体接触的两侧会产生光生电动势。 光电发射效应 光敏物质吸收光子后，电子从基态被激发到高能态而脱离原子核的束缚，从而在外电场作用下参与导电，即发生内光电效应。 如果被激发的电子能逸出光敏物质的表面而在外电场作用下形成光电子流，这就是外光电效应或称光电发射效应。 在光电器件中，光电管、光电倍增管等光电器件，都是基于外光电效应理论的。 1.斯托列托夫定律（光电发射第一定律）； 2.爱因斯坦（Einstein）定律（光电发射第二定律） 3.光电发射的红限 一个电子只能接受一个光子的能量.　　　　　　　　　　　　　　　 要使一个电子从物体表面逸出， 必须使光子能量ε大于该物体的表面逸出功A。 各种不同的材料具有不同的逸出功A， 因此对某特定材料而言， 将有一个频率限νo(或波长限λo)，称为“红限”: 4.光电发射的瞬时性 光电发射延迟时间不超过3*10E-13S，包括三个阶段： （1）电子吸收光子，产生激变 （2）受激电子从发射体内向真空面运动 （3）受激电子越过表面势垒向真空逸出。 光电探测传感器件 利用物质的光电效应把光信号转换成电信号的器件称为光电探测传感器件，有时也称光电探测传感器件。 根据对辐射的作用方式不同（或说工作机理的不同），光电探测传感器件（光电探测传感器件）可分为 光子探测传感器件 热电探测传感器件 光电探测传感器件 光电探测传感器件 光电探测传感器件的基本特性参数 响应度 响应时间 频率响应参数 描述噪声的基本参数 半导体光电探测传感器件 光电探测传感器件主要特性比较与选用原则 光电探测传感器件的基本特性参数 1.响应度（或称为灵敏度） 响应度是用来衡量光电探测传感器件的光-电转换效能，定义为光电传感器输出电压 或输出电流 与入射光功率 （或通量 ）之比。即  式中， 和 分别称为电压响应度和电流响应度。 由于光电传感器的响应度随入射光的波长而变化，因此 又有光谱响应度和积分响应度。 光电探测传感器件的基本特性参数 2.光谱响应度 光谱响应度 （单位为V/W或A/W）是光电传感器的输出电压或输出电流与入射到传感器上的单色辐通量（光通量）之比。即式中， 为光谱响应度； 为入射的单色辐通量或光通量。 从式(2-4)可看出，传感器的输出电压（或电流）值愈大意味 着传感器愈灵敏。 光电探测传感器件的基本特性