CMOS模拟集成电路讲义(DEMO).docVIP

例1：估算参数的求取 1．Kn、Kp的求取 图1.1 表1.1 L=2u 0.5 0.8 1.1 1.4 1.7 NMOS（(((V-2） 28.4 29.5 30.1 30.6 31.0 PMOS（(((V-2） 9.7 10.5 11.2 12.0 12.8 思考题1.1：从表1.1中可以看出沟道调制效应系数(是否为常数？为什么？ . 上试中： 2．(n、(p的求取 图1.2 图1.3 图1.4 表1.2 L=2u L=3u L=4u 0.5 0.8 1.1 1.4 1.7 0.5 0.8 1.1 1.4 1.7 0.5 0.8 1.1 1.4 1.7 Routn（K(） 14.3 32.8 44.2 51.8 56.8 18.5 50.0 65.7 75.8 82.3 20.6 62.7 84.2 96.4 103.9 (n（V-1） 0.19 0.08 0.06 0.05 0.04 0.15 0.05 0.04 0.036 0.033 0.097 0.044 0.033 0.028 0.026 Routp（K(） 20.6 33.0 32.2 31.1 30.0 20.2 38.3 38.0 36.9 35.9 19.5 43.6 43.7 42.8 41.8 (p（V-1） 0.40 0.23 0.22 0.21 0.20 0.39 0.19 0.18 0.178 0.173 0.39 0.164 0.156 0.152 0.149 *比较上面求得的(n、(p与上学期所学教材中((1/L的差异。 MOSFET的简化版图如图1.5所示，其中L1表示MOS管源漏区接触孔与多晶硅之间的最小距离，L2表示接触孔的最小尺寸，L3表示接触孔与源漏区边缘间的最小距离。寄生电容可按表1.3估算： 图1.5 表1.3 MOS管寄生电容的计算公式 MOSFET的寄生电容 CGS CGD CDB（CSB） 饱和区 CGSO Weff +0.67 COX Weff Leff CGDOWeff WE Cj +2(W+E) Cjsw 表1.3中E＝L1 + L2 + L3 , L1、L2、L3 这些规则尺寸可以很容易在技术资料上找到（对于“懒惰”的工程师们而言，一个也许更高效的办法是从晶元厂提供的版图库中直接通过测量获得）。一种保守的方法是取E=9um来进行估算。 CGSO、CGDO分别为单位宽度的栅－源和栅－漏交叠电容，单位为F/m；Cjsw为单位长度的源（漏）侧壁结电容，单位为F/m；Cj为单位面积的源（漏）结电容，单位为F/m2。这些数据可从模型参数中直接获取。 我们采用的模型中的寄生电容参数如下： NMOS的寄生电容 VTH0= 0.5815607 CGSO= 2.7(10-10 CGDO= 2.7(10-10 Cj= 2.806451(10-4 Cjsw= 1.464911(10-10 PMOS的寄生电容 VTH0= -0.8058627 CGSO = 2.7(10-10 CGDO = 2.7(10-10 Cj= = 2.959698E-4 Cjsw= 1.464496(10-10 例2：单级CS放大器的设计 已知：VDD＝3V， I0＝100(A，信号源内阻RS＝2K 要求：Av(-26dB，输出摆幅(2V 一、参数估算 1．据输出摆幅要求，分配NMOS管和PMOS管的Von。电路如图2.1所示。 VonN +VonP (1 ， 取VonN＝0.2， VonP＝0.6 2．估算静态偏值电压： Vin＝0.2+0.5815＝0.7815；Vbp＝3-0.6-0.8058＝1.5942 3．验证增益是否满足要求： 可以估算出输出节点Vout的静态工作点为（0.2+2.4）/2＝1.3，L=2u时，查表1.2可知此时(n ( 0.05，(p ( 0.21于是可以估算出： gmn＝〔4Kn（W/L）MN1 ID〕1/2＝〔4×30.5×82×100〕1/2(1.0 mA(V-1 或者gmn＝2 ID /（VGS-VTN）＝2 ID /Von1＝200/0.2＝1.0 mA(V-1 Rout＝1/〔（(n+(p）ID〕(1/〔（0.05+0.21）×100×10-6〕＝38.5K Av＝gmn/〔（(n+(p）ID〕(10-3/〔（0.05+0.21）×100×10-6〕＝38.5（即31.7dB）〔满足要求