苏州科技学院集成电路设计实验.docVIP

实验一 芯片基本结构测试 实验目的：1、了解芯片的基本结构 2、掌握微分析设备显微镜的使用 3、掌握集成电路反向设计中的图片提取 实验内容：观察芯片的表面结构。 实验要求：（1）装好的芯片，并用在显微镜下观察记录芯片形貌。 （2）拼合拍摄下来的芯片表面图，还原原始芯片整体图。 实验原理：参照显微镜结构，利用CCD数字图像系统显示微观图形。 实验仪器：VM3000显微镜、 IBM服务器计算机、 晶圆样品、 镊子等常用工具 实验步骤：（1）连接好显微镜系统。 （2）打开电源启动计算机、显示仪和显微仪。 （3）放置好晶圆样品。 （4）显微镜粗调焦距。 （5）显微镜细调焦距。 （6）控制显微镜载物台，进行扫描观察芯片表面结构，并用计算机保存各块图像 （7）打印所有图片并拼合。 实验报告： ( 1 )实验目的； （2）实验内容； （3）所用仪器设备； （4）实验步骤； （5）图片拼合总体图； （6）小结。 （每个小组交一份报告） 实验二 CMOS电路版图设计 实验目的：1、学习CMOS电路的版图设计方法和设计流程。 2、学习版图设计软件L-edit使用。 3、理解CMOS电路中MOS器件的纵向结构和工艺流程。 4、掌握P阱CMOS工艺下的设计规则。 5、设计CMOS电路中异或门的逻辑结构和版图。 实验内容：1、设计CMOS电路中异或门的电路能够实现同或逻辑功能， 2、设计的版图满足P阱CMOS电路的λ版图设计规则。 实验原理：1、异或门逻辑功能：Y=A⊕B A B Y 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 0  2、P阱CMOS工艺下CMOS电路版图结构(反相器为例) 3、P阱CMOS工艺的λ设计规则 实验仪器与器件：微型计算机 版图设计软件L-edit。 实验步骤：1、学习P阱CMOS工艺的λ设计规则 2、在L-edit环境下设置图层结构、栅格尺寸和设计规则。 3、设计异或门逻辑结构和版图草图； 4、设计编辑出异或门的版图文件。 思考题： （1） CMOS电路结构有何特点； （2） MOS管级联在版图中如何实现。 实验报告： （1）实验目的； （2）实验原理； （3）实验环境要求； （4）电路图设计结果； （5）版图设计结果 （6）小结 实验三 CMOS电路的参数测试 实验目的 掌握CMOS电路的逻辑功能和器件的使用规则 学会CMOS电路主要参数的测试方法 实验原理 CMOS电路是将N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管同时用于一个电路中，成为组合二种沟道MOS管性能的更优良的集成电路。CMOS集成电路的主要优点是： 功耗低，其静态工作电流在A数量级，是目前所以数字集成电路中最低的，而TTL器件的功耗则大得多。 高输入阻抗，通常大于，远高于TTL器件的输入阻抗。 接近理想的传输特性，输出高电平可达电源电压的99.9%以上，低电平可达电源电压的0.1%以下，因此输出逻辑电平的摆幅很大，噪声绒容限很高。 电源电压范围广，可在+2V~+7V范围内正常运行。 由于有很高的输入阻抗，要求驱动电流很小，约0.1微安，输出电流在+5V电源下约为500微安，远小于TTL电路，如以此电流来驱动同类门电路，其扇出系数将非常大。在一般低频率时，无需考虑扇出系数，但在高频时，后级门的输入电容将成为主要负载，使其扇出能力下降，所以在较高频率工作时，CMOS电路的扇出系数一般取10~20. CMOS门电路逻辑功能 尽管CMOS与TTL电路内部结构不同，但他们的逻辑功能完全一样。本实验结果参考反相器74HC04的基本静态参数。 CMOS电路的使用规则 由于CMOS电路有很高的输入阻抗，这给使用者带来一定的麻烦，即外来的干扰信号很容易在一些悬空的输入端上感应出很高的电压，以至损坏器件。 CMOS电路的使用规则如下： （1）接电源正极，接电源负极（通常接地），不得反接。 （2）所有输入端一律不准悬空 闲置输入端的处理方法：a）按照逻辑要求，直接接（与非门）或（或非门）。b)在工作频率不高的电路中，允许输入端并联使用。 （3）输出端不允许直接与或连接，否则将导致器件损坏。 （4）在装接电路，改变电路连接或插、拔电路时，均应切断电源，严禁带电操作。 （5）所有的测试仪器必须良好接地； 实验设备与器件 1、+5V直流电源