半导体物理 刘恩科 第五章习题解答.pdfVIP

第五章 非平衡载流子 （非平衡半导体） −4 13 −3 τ × s ∆p cm 1. N −Ge 1 10 , 10 p 解： 13 ∆p 10 17 3 1 10 − − U τ 1×10−4 (cm s ) p 2. g 空穴在半导体内均匀产生，其产生率 p 解： 由空穴连续性方程， 2 ∂E ∂p ∂ p ∂p ∆p µ µ D =− E − p − +g p 2 p p p ∂t ∂x ∂x ∂x τ 由于杂质均匀分布、体内没有电场、非平衡载流子均匀产生，所以，  2 ∂p 0 0 ∂E D d ∆p 0 0 p 2 ∂x ∂x dx 得到非平衡空穴所满足的方程， ∆ d p ∆p g p − dt τ p d ∆p 光照下，产生和复合达到稳定时， 0 dt ∆p g p − 0 τ p 达到稳定状态时的非平衡空穴浓度， ∆p τ g p p 3. N −Si τ 1×10−6 s g 1022 cm−3s −1 ρ 1