半导体物理第二章半导体的杂质和缺陷能态课件.pdf

第第二章章 半导体中的杂质和缺陷能态 第二章第二章Part 1 2.1 杂质和杂质能级 22.22 缺陷及其作用缺陷及其作用 2.1 杂质和杂质能级 一、杂质概述 杂质——在半导体材料中存在着一些与组成半导体材料的元素不 同的其它元素原子同的其它元素原子。 杂质在半导体中存在的形态杂质在半导体中存在的形态： AA AA AA AA AA AA AA AA A A B A A A A A C AA AA AA AA AA AA AA AA B A C A A A A A A 替位 填隙 杂质浓度杂质浓度————单位体积中所含杂质原子的个数单位体积中所含杂质原子的个数 二、杂质的类型 第一种、按对载流子的贡献： ①施主杂质——为半导体材料提供导电电子的杂质 ②②受主杂质受主杂质——对半导体材料提供导电空穴的杂质对半导体材料提供导电空穴的杂质 ③中性杂质——不提供载流子 ④④双性杂质双性杂质——有时是施主杂质有时是施主杂质，有时又是受主杂质有时又是受主杂质 第二种第二种、、按能级的深浅按能级的深浅：： ①浅能级杂质 ②深能级杂质 三、浅能级杂质 1.浅施主杂质 PP原子代替原子代替SiSi原子后原子后，为半导体提供了为半导体提供了一个个自由电子自由电子，称为称为施主杂质施主杂质 或n型杂质。 三、浅能级杂质 价电子脱离杂质原子成为自由电子的过程称为杂质电离，所需要的能 量称为杂质电离能量称为杂质电离能ΔE 。 D 通常在室温下，杂质可以完全电离。电子浓度等于杂质浓度。 把主要依靠导带电子导电的半导体称为n型半导体。 三、浅能级杂质 22.浅受主杂质浅受主杂质 硼原子替代硼原子替代SiSi原子原子，，硼在晶体中接受硼在晶体中接受一个电子而产生个电子而产生导电空穴导电空穴，，为为受主杂质受主杂质 在室温下，受主杂质完全电离，则空穴浓度等于受主杂质浓度。 把主要依靠空穴导电的半导体称为P型半导体。 半导体中载流子的来源 本征半导体： 电电 本征激发本征激发 空空 NN=PP 子 穴 杂质半导体（以N型为例）： 杂质电离杂质电离 电电 空空 子 NP