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半导体课件第9章
第十一章 异质结 霍耳效应
11.1 异质结
11.2 霍耳效应
2/13
11.1 异质结1
11.1.1 异质结的分类
同质结－由同种半导体单晶材料组成的结
异质结－由不同种半导体单晶材料组成的结 p-nGe-Si
反型异质结 p-nGe-Si，n-pGe-GaAs
区分两种材料
异质结 禁带窄的写在前面 的导电类型
同型异质结 n-nGe-Si，p-pGe-GaAs
突变异质结 区分两种材料
异质结 结界面处的过
缓变异质结 渡层厚度
突变反型异质结
突变同型异质结
3/13
11.1 异质结2
11.1.2 异质结的能带图
不考虑界面态情况，突变反型异质结的能带图
真空能级 真空能级
qVD
W χ2
χ1 W 2 χ1 W 凹口
1 E 1 尖峰
c 1 W χ
ΔE 2 2
E c EF 2 E ΔE
E c 1 Eg 1 δ1 δ2 Eg 2 E c 1 Eg 1 qVD 1 c qVD 2 Ec 1
F 1 F 1 E
E E F 2
v 1 ΔE v 1
v E E
v 2 ΔE g 2
v
－能带弯曲，形成尖峰和凹口
E
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