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C2M0160120D 碳化硅MOSFET Cree
V 1200 V
DS
I @ 25˚C 17.7 A
C2M0160120D D(MAX)
R 160 mΩ
DS(on)
Silicon Carbide Power MOSFET
TM
Z-FET MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Features Package
• High Speed Switching with Low Capacitances
• High Blocking Voltage with Low RDS(on)
• Easy to Parallel and Simple to Drive
• Resistant to Latch-Up
• Halogen Free, RoHS Compliant
Benefits
TO-247-3
• Higher System Efficiency
• Reduced Cooling Requirements
• Increased System Switching Frequency
Applications
• Auxiliary Power Supplies
• Solar Inverters
• High Voltage DC/DC Converters
• High-frequency applications
Part Number Package
C2M0160120D TO-247-3
Maximum Ratings (T 25 ˚C unless otherwise specified)
C
Symbol Parameter Value Unit Test Conditions Note
17.7 VGS@20 V, TC 25˚C Fig. 19
IDS (DC) Continuous Drain Current A
11 VGS@20 V, TC 100˚C
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