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模拟电子技术基础,课后习题的答案
模拟电子技术基础
第一章
1.1 电路如题图1.1所示,已知,二极管导通电压降。试画出和的波形,并标出幅值。
解:通过分析可知:
(1) 当时,
(2) 当时,
(3) 当时,
总结分析,画出部分波形图如下所示:
1.2 二极管电路如题图1.2所示。(1)判断图中的二极管是导通还是截止?(2)分别用理想模型和横压降模型计算AO两端的电压。
解:对于(a)来说,二极管是导通的。
采用理想模型来说,
采用恒压降模型来说,
对于(c)来说,二极管是导通的,二极管是截止的。
采用理想模型来说,
采用恒压降模型来说,
1.3 判断题图1.3电路中的二极管D是导通还是截止?用二极管的理想模型计算流过二极管的电流
解:(b)先将二极管断开,由KVL定律,二极管左右两端电压可求出:
故此二极管截止,流过的电流值为
(c)先将二极管断开,由KVL定律,二极管左右两端电压可求出:
,
由于,故二极管导通。
运用戴维宁定理,电路可简化为
1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。
解: T1: 硅管,PNP,11.3V对应b, 12V对应e, 0V对应c
T2: 硅管,NPN,3.7V对应b, 3V对应e, 12V对应c
T3: 硅管,NPN,12.7V对应b, 12V对应e,15V对应c
T4: 锗管,PNP,12V对应b, 12.2V对应e, 0V对应c
T5: 锗管,PNP,14.8V对应b, 15V对应e, 12V对应c
T6: 锗管,NPN,12V对应b, 11.8V对应e, 15V对应c
模拟电子技术基础
第二章
2.2 当负载电阻时,电压放大电路输出电压比负载开路()时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻。
解:由题意知:
解得
2.5 电路如题图2.2所示,设BJT的,、可忽略不计,试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时,BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流。
解:,
开关打在A上:,故三极管工作在饱和区。
开关打在B上:,故三极管工作在放大区。
开关打在C上:发射结和集电结均反偏,故三极管工作在截止区。
IC=0
2.9 题图2.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线,试求:
(1)电源电压,静态电流、和管压降的值;
(2)电阻、的值;
(3)输出电压的最大不失真幅值;
(4)要使该电路不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?
解:(1)由输出特性图中可以读到: ,,, 。
(2) ,
(3)
(4)要使电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值取
2_11、单管放大电路如图题3.4.2所示已知BJT的电流放大系数β=50。(1)估算Q点;
(2)画出简化 H参数小信号等效电路;(3)估算 BJT的朝人电阻 rbe;(4)如输出端接入 4 kΩ的电阻负载,计算及。
解(1)估算Q点
(2)简化的H参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。
(3)求rbe
(4)
2.15 电路如题图2.11所示。
(1)画出放大电路的微变等效电路;
(2) 写出电压放大倍数的表达式;
(3)求输入电阻;
(4)画出当时的输出电压、的波形(输入为正弦波,时间关系对齐)
解:(1)
(2)
(3) ,其中
(4)由于考虑到,因而其波形图可参考如下:
2.17 在题图2.13所示电路中,已知三极管的,,试求:
(1)电路的Q点;
(2) 和时的电压增益、输入电阻及输出电阻;
解:(1)画出电路直流通路如下图所示:
列式:
得到:,从而可求得:
故:
(2)做出电路交流通路如下图所示:
当时,
当时,
2.19已知电路参数如题图2.17所示,FET工作点上的互导,设。
(1)画出电路的小信号模型;
(2)求电压增益;
(3)求输入电阻。
解:(1)电路的小信号模型如下图示:
(2)
(3)。
2.24 电路如题图2.19所示,其中三极管的均为100,且,。
(1)求各级的静态值;
(2)求和;
(3)分别求出当和时的。
解:(1)对于第一级来说:
;
对于第二级来说:
(2)
(3);;
时:;;
时:;;
2-25.电路参数如图题4.5.1所示。设FET的参数为gm=0.8ms,rd=200kΩ;3AG29(T2)的β=40,rbe=1kΩ。试求放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。 解(1)求由于 rd>>Rd,故rd可忽略,图题 4.5.1的小信号等效电路如图解 4 .5.1所示。由图有 (2)求Ri的对数幅频特性如题图2.24所示。
(1)试求该电路的中频电压增益,上限频率,下限频率;
(2)当输入信号的频率或时,该电路实际的电压增益
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