脑死亡过程中谷氨酸与场电位的同步检测微电极阵列研究-分析化学.PDFVIP

脑死亡过程中谷氨酸与场电位的同步检测微电极阵列研究-分析化学.PDF

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脑死亡过程中谷氨酸与场电位的同步检测微电极阵列研究-分析化学.PDF

第43卷 分析化学 (FENXI HUAXUE)摇 研究报告 第7期 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 摇 2015年7月 ChineseJournal of Analytical Chemistry 983~988 DOI:10.11895/j.issn.0253鄄3820.150039 脑死亡过程中谷氨酸与场电位的同步检测微电极阵列研究 1,2 1 1,2 1,2 1,2 1 *1,2 蔚文婧 摇 宋轶琳摇 范心怡 摇 张松 摇 王 力 摇 徐声伟摇 蔡新霞 1(中国科学院电子学研究所 传感技术联合国家重点实验室,北京 100190) 2(中国科学院大学,北京 100190) + + 摘摇 要摇 高浓度胞外K 会引起神经元的去极化、谷氨酸释放、甚至细胞死亡。 为研究高浓度K 对在体神经 元的影响,采用微机电系统(MEMS)方法制作了一种植入式微电极阵列(MEA),其上包含形状、位置固定的 电化学(50 伊 150 滋m)和电生理(直径为15 滋m)检测位点,可同时进行脑内神经递质谷氨酸、局部场电位信号 + (LFP)双模检测。 将这种MEA植入到大鼠纹状体后,给大鼠皮层施加高浓度K 刺激,结果表明,高钾刺激增 加了纹状体内谷氨酸浓度,同时抑制了神经电生理活动。 这是首次采用双模MEA研究神经元在体死亡过程, 结果验证了双模微电极阵列在体检测的可行性,可用于研究脑内神经电化学、电生理的时空关系。 关键词摇 微机电系统;植入式微电极阵列;脑死亡;高钾;谷氨酸;局部场电位 1摇 引摇 言 + + K 是细胞内的主要阳离子,是形成静息膜电位的基础,也是动作电位复极过程的主要离子。 K 的 [1] + 轻微改变即会明显影响细胞膜电位,从而影响细胞的极化功能 。 脑内的高浓度K 可发生神经电生理 [2] 和神经递质的紊乱 ,发生去极化现象,提升细胞外谷氨酸浓度。 谷氨酸(Glutamate,Glu)是中枢神经 系统内重要的兴奋性神经递质,但是过高的谷氨酸浓度有明显的毒性作用,可导致细胞损伤、死亡[3~6]。 很多脑损伤疾病,如脑缺血、中风、头部外伤、癫痫,都伴随着细胞膜去极化和谷氨酸释放[3,7~9]。 [10,11] + 神经元之间通过电学和化学两种模式的信号实现信息的传递 。 因此,研究高浓度K 引起的神 + 经元死亡需要同时检测双模神经信息,从而全面了解神经元的状态。 另外,高K 可能会引起癫痫,为排 除这种情况,在记录神经递质过程中也有必要监测电生理信号[5,7,12]。 之前的高钾导致脑死亡

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