气动凿岩机活塞力学性能实验样品的制备和测试.docVIP

气动凿岩机活塞力学性能实验样品的制备和测试 1、相关定义 1.1、辐射效应的基本概念 2.2.1 辐射的基本概念2.2.1 辐射的基本概念 (1).辐射环境 半导体辐射效应涉及的辐射环境有空间辐射环境、核爆辐射环境、实验室辐 射环境和工艺辐射环境等四类。 一般宇宙空间的辐射主要来自宇宙射线、范 艾伦带、太阳耀斑、太阳电磁辐 射和极光辐射等。范 艾伦带是地球磁场俘获宇宙射线中的带电粒子而形成—个磁 致浓缩区,分布在地球周围。有内、外两层,内带以质子为主,外带以电子为主。 范 艾伦带已成为航天器的主要威胁。 核武器爆炸形成的环境是由冲击波、光辐射、电磁脉冲、核辐射及 X 射线等 构成的综合环境,是一种人为的、短期有效的恶劣环境。核爆辐射包括中子、放 射性微粒、γ 和 X 射线。对电子材料和设备的辐射损伤来说,主要是快中子、γ 和 X 射线。 实验室辐射环境是指用于模拟空间和核爆环境的某些辐射效应的实验室设备 所形成的辐射环境。模拟源能产生单一的(或基本单一的)辐射环境,条件可按需 要控制,而且重复周期短和花钱少,不仅可以进行效应模拟和机理研究,而且可 用于改进和完善试验技术及分析程序、积累数据。一般使用闪光X射线机(或直线 8 硅衬底材料辐射损伤噪声测试样品研究 脉冲电子加速器)模拟核爆的剂量率效应,使用 60 Co辐射源模拟总剂量效应和使用 脉冲反应堆(或稳态堆)模拟核爆中子的效应。 金属钴经反应堆中子辐射后生成放射性同位素 60 Co,一般密封在 1mm~2mm厚 的不锈钢中,钴原子核在一次衰变过程中放出两个γ光子,其能量分别为 1.17MeV 和 1.33MeV,γ射线穿透力强,射线在源中的自吸收很弱。 60 Coγ源一般可用于模拟 核爆γ累积总剂量对器件和电路产生的电离辐射损伤[14]。 (2).描述辐照效应的物理量 描述半导体器件和集成电路的辐射效应时,始终围绕中子注量、总剂量和剂 量率等 3 种主要辐射来研究它们产生的效应,它们是核爆炸产生的主要辐射形式, 具体说明如下: 1)中子注入:在给定的时间间隔内进入空间某点为中心小球体的中子数除以球体 最大截面积的商。它给出每平方厘米的中子数。 2)总剂量:样品在受辐射期间内吸收的累积剂量。如处于稳态辐射环境,总剂量 等于辐射剂量率乘以辐照时间。 3)剂量率:样品在单位时间内吸收的剂量。如处于脉冲辐射环境,剂量率等于在 一个辐射脉冲内样品吸收的总剂量除以辐射脉冲时间波形的半高宽。 其中总剂量和剂量率表示半导体器件或集成电路的 γ 辐照效应。中子注量表 示半导体器件或集成电路受中子辐射的注量所产生的效应。 1.2、硅衬底材料基本概念 2.1.1 硅衬底材料结构及特性2.1.1 硅衬底材料结构及特性 衬底是器件制造的基础,衬底材料和衬底加工质量对器件性能有重要的影响 。 衬底材料的种类很多,并且随着半导体技术的发展,还会不断出现新的材料。 目前,在生产和应用方面主要有三种类型:一是元素半导体,如硅、锗;二是化 合物半导体,如-Ⅴ族和-Ⅵ族化合物半导体;三是绝缘体,如蓝宝石和尖 晶石,其中以硅材料应用最广泛,产量最大。 图 2.1 硅原子结构示意图 图 2.1 可看出硅材料具有金刚石结构,每个原子与临近四个原子成键合,最外 层轨道具有四个价电子,可以与四个临近原子分享其价电子,所以这样的一对共 享价电子即共价键。在室温时,这些共价电子被局限在共价键上,所以不像金属 具有可以导电的自由电子。但是在较高的温度,热振动可能打断共价键,释出一 个自由电子参与导电。因此本征半导体材料在室温下的电性如同绝缘体一样,但 在高温时就和导体一样具有高导电性。而非本征半导体的电导率则主要取决于杂 质。 硅的化学性质比较稳定,其物理性能很适合作为衬底材料。其电阻率一般会 随着温度、掺杂浓度、磁场强度、光强度等因素而改变,这种电阻率的敏感度使 它成为最重要的电子材料之一。产生这种现象的根本原因是材料的电子能带结构。 硅材料的特性详见表 2.1 [15]。 4 硅衬底材料辐射损伤噪声测试样品研究 表2.1 室温下硅的性质 性质 参数 原子量 28.9 晶体结构 金刚石 密度(g/cm3) 2.33 介电常数 11.9 禁带宽度(eV) 1.12 本征载流子浓度(原子/cm3) 1.45×1010 本征德拜长度(μm) 24 本征电阻率(Ω cm) 2.3×105 晶格常数(nm) 0.543095 原子密度(原子/cm3) 5.0×1022 少数载流子寿命(s) 1412 电子迁移率(cm2/V s) 1500 空穴迁移率(cm2/V s) 475 热容量(cal/g mol ) 4.78 线性热膨胀系数(-1) 2.6×10-6 比热(J/g ) 0.7 热导率(W/cm ) 1.5 折射率 3.4