有机半导体中载流子迁移率的测定.docVIP

　　有机半导体中载流子迁移率的各种方法的测试原理。主要有如下几种:稳态(CW) 直流电流2电压特性法( steady2state DC J2V) ,飞行时间法(time of flight , TOF) ,瞬态电致发光法(transientelectroluminescence , transient EL) ,瞬态电致发 光法的修正方法即双脉冲方波法和线性增压载流子瞬态法(carrier extraction by linearly increasing voltage ,CELIV) ,暗注入空间电荷限制电流(dark injection space charge limited current , DI SCLC) ,场效应晶体管方法(field2effect transistor , FET) ,时间分辨微波传导技术(time2resolved microwave conductivity technique , TRMC) ,电压调制毫米波谱(voltage2modulated millimeter2wave spectroscopy , VMS) 光诱导瞬态斯塔克谱方法(photoinducedtransient Stark spectroscopy) ,阻抗(导纳) 谱法(impedance (admittance) spectroscopy) 。 实验测定方法 一些传统无机半导体迁移率的测量方法是比较 成熟的,如利用霍耳效应[11 ] (根据定义,电流密度等 于载流电荷密度乘以平均漂移速率。电流密度可以 通过测量电流强度和样品尺寸而求得,载流电荷密 度可以通过在弱磁场下测量经典霍耳系数而求得。 因此,迁移率是一个可以通过直接测量而求得的 近来开发的拉曼散射技术[12 ] (通过微观拉曼 成像实验来研究载流子密度与迁移率) ,但并不适用 于低迁移率的无定型有机半导体。目前报道的比较 常用的测量无定型有机半导体载流子迁移率的方法 主要有如下几种:稳态(CW) 直流电流2电压特性法 (steady2state DC J2V ) , 飞行时间法( time of flight , TOF) ,瞬态电致发光法(transient electroluminescence , transient EL) ,瞬态电致发光法的修正方法即双脉冲 方波法和线性增压载流子瞬态法(carrier extraction by linearly increasing voltage ,CELIV) ,暗注入空间电荷限 制电流(dark2injection space2charge2limited current , DI SCLC) , 场效应晶体管方法( field2effect transistor , FET) , 时间分辨微波传导技术( time2resolved microwave conductivity technique , TRMC) ,电压调制毫 米波谱(voltage2modulated millimeter2wave spectroscopy , VMS) , 光诱导瞬态斯塔克谱方法( photoinduced transient Stark spectroscopy ) , 阻抗( 导纳) 谱法 (impedance (admittance) spectroscopy) 。下面将简要介 绍这几种测量技术的原理及方法。 1.稳态电流2电压方法 稳态电流2电压方法是最简单的一种测量载流 子迁移率的方法。直接得到的参数是电流电压特性 和器件的厚度。· 　　在低电场下需要满足3 个条件: (1) 没有任何能 带弯曲,在给定电压V 下整个半导体内F 为常数; (2)μ与电场F 无关,即要求电流不能太大,不要因 焦耳热效应而引起μ随F 而改变; (3) 通过半导体 抽取的电流应小于饱和热电子发射电流。则可以通 过公式: J = n0 qμ V/d J 代表电流密度, n0 代表载流子密度,μ代表载流 子的迁移率,V 为外加电压, d 是器件的薄膜厚度。 由于结构的无序性和杂质的存在,有机半导体中存 在大量的载流子陷阱能级,这些陷阱很容易俘获载 流子,从而使半导体内部存在大量的空间电荷。当 电场逐渐升高, 电流过渡到空间电荷限制电流 (space charge limited current , SCLC) 时,如果没有陷阱 分布,则满足Child’s 定律。 在这里,都是默认迁移率不随电场变化,是个固 定值,当电场增高以后,这个假设就出现很大偏差, 所以这个方法一般应用于低场区。 2 　飞行时间(TOF) 法 TOF 技术是目前用以测量载流子迁移率最有 效、最广泛的方法。在光脉冲的激发下,在ITO 透明电极一侧将产 生电子2空