NMOS管的输出特性.pdfVIP

a NMOS 管的输出特性仿真结果与分析说明，取L=2um,W （单位为um)的值依据自己的学号设定。即NMOS 管的 宽长比（W/L ）等于自己的学号的最后两位数。 图 a.1 原理图 （W=54u，L=2u） 图 a.2 仿真结果 b.取L=0.5 um, W 的值依据自己的学号设定。即NMOS 管的宽长比（W/L ）等于自己的学号的最后两位数。 图 b.1 原理图 (W=13.5u,L=0.5u) 图 b.2 仿真结果 c：取L=0.5 um, W 的值依据自己的学号设定。即NMOS 管的宽长比（W/L ）等于自己的学号的最后两位数。 图 c.1 原理图 (W=13.5u,L=0.5u) 图 c.2 仿真结果 分析说明：①图a.2 的W=54u，L=2u，图b.2 的W=13.5u，L=0.5u，但它们的宽长比相等，从两个仿真图可以计算 对比看出：当vdd 大于驱动电压时，id 随着vdd 的变化中，图b.2 的漏电流变化增量比图a.2 的变化增量大，即长L 取得越大它工作在保和区的漏电流越稳定受它影响小，但是对应相同的vddL 取得大的漏电流小。 ②图b.2 和图c.2 的宽、长取值都相同，但图c.2 的vbs=-0.4v ，而图b.2vbs=0，即图c.2 存在体效应，随 着vin （vgs ）增大，源和衬底的电压差增大，导致开启电压vth 增大，过驱动电压降低。 2. 以VG 为参数，对于每种组合结构，画出IX 关于VX 的函数曲线草图和写出解析式,同时采用EDA 软件验证。 假设λ= γ=0。 图二.a 当VGS=2V 时PMOS 打开,NMOS 打开 图二.b 当VGS= -2V 时PMOS 打开,NMOS 关断 分析说明： 当VGS=2V，时PMOS,NMOS 打开,当VDS 较大时也将会有电流流过PMOS ； 当VGS= -2V 时PMOS 打 1 W 2 1 W 2 开,NMOS 关断。Ix ISP IDN UnCox( )(Vx VG | Vthp |) UnCox( )[(Vg Vth) Vx] 2 L 2 L 图二.c 当VGS=2V 图二.d 当VGS=-2V 时 分析说明：当VGS=2V 时PMOS,NMOS 打开，当VDS 增大到一定程度时（VDS2.8V）将会有电流流过PMOS ； VGS= -2V 时PMOS 打开,NMOS 关断。