第一部分 化学机械抛光液.docx

化学机械抛光液行业研究一、行业的界定与分类2（一）化学机械抛光21、化学机械抛光概念22、CMP工艺的基本原理23、CMP技术所采用的设备及消耗品24、CMP过程25、CMP技术的优势2（二）化学机械抛光液31、化学机械抛光液概念32、化学机械抛光液的组成33、化学机械抛光液的分类34、CMP过程中对抛光液性能的要求3（三）化学机械抛光液的应用领域3二、原材料供应商4三、化学机械抛光液行业现状4（一）抛光液行业现状41、国际市场主要抛光液企业分析42、我国抛光液行业运行环境分析43、我国抛光液行业现状分析54、我国抛光液行业重点企业竞争分析5（二）抛光液行业发展趋势5（三）抛光液行业发展的问题5四、需求商6（一）半导体硅材料61、电子信息产业介绍62、半导体硅材料的简单介绍6（二）分立器件行业7（三）抛光片8化学机械抛光液行业研究一、行业的界定与分类（一）化学机械抛光1、化学机械抛光概念化学机械抛光（英语：Chemical-Mechanical Polishing，缩写CMP），又称化学机械平坦化（英语：Chemical-Mechanical Planarization），是半导体器件制造工艺中的一种技术，用来对正在加工中的硅片或其它衬底材料进行平坦化处理。2、CMP工艺的基本原理基本原理是将待抛光工件在一定的下压力及抛光液(由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液)的存在下相对于一个抛光垫作旋转运动,借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除,并获得光洁表面。3、CMP技术所采用的设备及消耗品主要包括，抛光机、抛光液、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等，其中抛光液和抛光垫为消耗品。4、CMP过程过程主要有抛光、后清洗和计量测量等部分组成，抛光机、抛光液和抛光垫是CMP工艺的3大关键要素，其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平。5、CMP技术的优势最初半导体基片大多采用机械抛光的平整方法,但得到的表面损伤极其严重，基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG(spin-on-glass)、低压CV D(chemicalvaporde-posit)、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC工艺中获得应用,但均属局部平面化技术,其平坦化能力从几微米到几十微米不等,不能满足特征尺寸在0.35μm以下的全局平面化要求。1991年IBM首次将化学机械抛光技术成功应用到64MbDRAM的生产中，之后各种逻辑电路和存储器以不同的发展规模走向CMP，CMP将纳米粒子的研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来，满足了特征尺寸在0.35μm以下的全局平面化要求，CMP可以引人注目地得到用其他任何平面化加工不能得到的低的表面形貌变化。目前，化学机械抛光技术已成为几乎公认为惟一的全局平面化技术，其应用范围正日益扩大。（二）化学机械抛光液1、化学机械抛光液概念化学机械抛光液是在利用化学机械抛光技术对半导体材料进行加工过程中的一种研磨液体，由于抛光液是CMP的关键要素之一，它的性能直接影响抛光后表面的质量，因此它也成为半导体制造中的重要的、必不缺少的辅助材料。2、化学机械抛光液的组成化学机械抛光液的组成一般包括一般由超细固体粒子研磨剂（如纳米SiO2、Al2O3粒子等）、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等。固体粒子提供研磨作用,化学氧化剂提供腐蚀溶解作用，由于SiO2粒子去除率最高,得到的表面质量最好，因此在硅片抛光加工中主要采用SiO2抛光液，3、化学机械抛光液的分类抛光工艺中有粗抛光和精抛光之分，故有粗抛光液和精抛光液品种之分。4、CMP过程中对抛光液性能的要求抛光液的浓度、磨粒的种类、大小、形状及浓度、抛光液的粘度、pH值、流速、流动途径对去除速度都有影响。（三）化学机械抛光液的应用领域??化学机械抛光液作为半导体工艺中的辅助材料，主要应用于抛光片和分立器件制造过程中的抛光过程。因此，抛光液主要应用于半导体行业（抛光片和分立器件）、集成电路行业和电子信息产业。二、原材料供应商 由于目标产品的具体成分不详，暂略。三、化学机械抛光液行业现状（一）抛光液行业现状化学机械抛光技术是半导体晶片表面加工的关键技术之一，并用于集成电路制造过程的各阶段表面平整化，而抛光液对抛光效率和加工质量有着重要的影响，但由于具有很高的技术要求，目前商业化的抛光液配方处于完全保密状态，主要集中在美国、日本、韩国。这也导致在我国半导体硅抛光片加工中，所使用的抛光液绝大多数都要靠进口。尽管我国目前在抛光液行业现已发展到有几十家的企业，但是真正涉足到半导体硅片抛光液制造、研发方面的企业很少。无论是产品质量上、还是在市场占有率方面，国内企业都表现出与国外厂家具有