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半导体传感器磁敏式传感器按其结构可分为体型和结型两大类，前者有霍尔传感器，其材料主要有InSb．InAs，Ge，Si，GaAs等和磁敏电阻(InSb，InAs)；后者有磁敏二极管(Ge,Si)、磁敏晶体管(Si)。磁敏传感器的应用范围可分为模拟用途和数字用途两种。例如利用霍尔传感器测量磁场强度，用磁敏电阻、磁敏二极管作无接触式开关等。3.1.1 霍尔传感器霍尔传感器是利用霍尔效应实现磁电转换的一种传感器，有普通型、高灵敏度型、低温度系数型、测温测磁型和开关式的霍尔元件。由于霍尔传感器具有灵敏度高、线性度好、稳定性高、体积小和耐高温等特件应用于非电量测量、自动控制、计算机装置和现代军事技术等各个领域。3.1 磁敏式传感器1．霍尔效应长为L、宽为b、厚为d的导体（或半导体）薄片，被置于磁感应强度为B的磁场中（平面与磁场垂直），在与磁场方向正交的两边通以控制电流 I，则在导体另外两边将产生一个大小与控制电流 I 和磁感应强度 B 乘积成正比的电势UH，且UH＝KHIB，其中KH为霍尔元件的灵敏度。这一现象称为霍尔效应，该电势称为霍尔电势，导体薄片就是霍尔元件。2．工作原理霍尔效应是导体中自由电荷受洛仑兹力作用而产生的。设霍尔元件为N型半导体，当它通以电流 I 时，半导体中的电子受到磁场中洛仑兹力FL的作用，其大小为式中υ为电子